公开(公告)号：CN102304699A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110297036.7

申请日：2011-09-30

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  娄阳 ,  姜楠楠 ,  任银拴 ,  简基康 ,  李强 ,  李锦 ,  孙言飞

IPC: C23C16/34

Abstract: 本发明公开了一种Mn掺杂AlN稀磁半导体纳米棒阵列的制备方法。本方法采用无催化剂辅助下化学气相沉积法，以无水AlCl3、无水MnCl2和NH3气分别作为Al源、Mn源和N源，在硅衬底上得到了掺杂Mn的AlN纳米棒阵列。所制备的AlN：Mn纳米棒阵列具有室温铁磁性，可以应用于纳米级电子和光电子器件上，也可以应用于以自旋为基础的多功能器件上，因而它具有重要的研究价值和广阔的应用前景。本方法不使用任何催化剂，制备工艺简单，对设备的要求低，易于推广。

公开(公告)号：CN102352485A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110297648.6

申请日：2011-09-30

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  任银拴 ,  简基康 ,  潘东 ,  娄阳 ,  蒋小康 ,  李锦 ,  孙言飞 ,  任会会

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  H01L43/12 ,  H01F41/18 ,  H01F10/193

Abstract: 本发明公开了一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法。本方法以为高纯的氮气作为工作气体，采用高纯Al靶和硅片原位共溅射，系统的本底真空度为10-5Pa-10-4Pa，基片为n型Si（100），靶材与基片间的距离为60mm，溅射功率为300W，溅射气压为1.5Pa，衬底温度为370℃，溅射时间为60min。基片经清洗除去表面杂质后，通过改变掺杂硅片的数量来得到不同掺杂浓度的AlN稀磁半导体薄膜。本方法制备沉积速率高，工艺简单，而且不需要任何后续处理就可以得到具有室温铁磁性和高居里温度的稀磁半导体薄膜材料，因而具有重要的研究价值和广阔的应用前景。