公开(公告)号：CN102432059A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110292468.9

申请日：2011-09-29

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  蒋小康 ,  简基康 ,  任银拴 ,  李锦 ,  孙言飞

IPC: C01G9/03 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积制备ZnO纳米结构的方法，其特征在于通过以下工艺实现：称取一定量的Zn粉（99.9%），置于陶瓷舟内，将陶瓷舟推入内衬有石墨纸的石英管式炉中心；两端密闭，用机械泵抽至0.1Pa,通入氩气洗气30分钟，以10℃/Min的升温速率加热至800℃，同时在氩气管的入口接有一个玻璃瓶（体积2L）,瓶内装有200ml丙酮，氩气在瓶内起泡将丙酮带入石英管与Zn蒸汽反应，氩气流量50sccm,反应2小时，自然冷却至室温；在下游管口处内衬石墨纸上收集样品。本发明的特点在于：工艺简单，无催化剂；产物物相、形貌可控；产量大，成本低，对环境无危害，易于推广。

公开(公告)号：CN102304699A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110297036.7

申请日：2011-09-30

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  娄阳 ,  姜楠楠 ,  任银拴 ,  简基康 ,  李强 ,  李锦 ,  孙言飞

IPC: C23C16/34

Abstract: 本发明公开了一种Mn掺杂AlN稀磁半导体纳米棒阵列的制备方法。本方法采用无催化剂辅助下化学气相沉积法，以无水AlCl3、无水MnCl2和NH3气分别作为Al源、Mn源和N源，在硅衬底上得到了掺杂Mn的AlN纳米棒阵列。所制备的AlN：Mn纳米棒阵列具有室温铁磁性，可以应用于纳米级电子和光电子器件上，也可以应用于以自旋为基础的多功能器件上，因而它具有重要的研究价值和广阔的应用前景。本方法不使用任何催化剂，制备工艺简单，对设备的要求低，易于推广。

公开(公告)号：CN102352485A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110297648.6

申请日：2011-09-30

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  任银拴 ,  简基康 ,  潘东 ,  娄阳 ,  蒋小康 ,  李锦 ,  孙言飞 ,  任会会

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  H01L43/12 ,  H01F41/18 ,  H01F10/193

Abstract: 本发明公开了一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法。本方法以为高纯的氮气作为工作气体，采用高纯Al靶和硅片原位共溅射，系统的本底真空度为10-5Pa-10-4Pa，基片为n型Si（100），靶材与基片间的距离为60mm，溅射功率为300W，溅射气压为1.5Pa，衬底温度为370℃，溅射时间为60min。基片经清洗除去表面杂质后，通过改变掺杂硅片的数量来得到不同掺杂浓度的AlN稀磁半导体薄膜。本方法制备沉积速率高，工艺简单，而且不需要任何后续处理就可以得到具有室温铁磁性和高居里温度的稀磁半导体薄膜材料，因而具有重要的研究价值和广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN102321915A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110295405.9

申请日：2011-10-08

Applicant: 新疆大学

Inventor： 吴荣 ,  任会会 ,  姜楠楠 ,  任银拴 ,  简基康 ,  李锦 ,  孙言飞

IPC: C30B25/08 ,  C30B29/10

Abstract: 本发明公开了一种Mn掺杂AlN单晶纳米棒的制备方法，属于纳米材料及其制备的技术领域。本发明采用化学气相沉积法，在陶瓷和Si衬底上生长Mn掺杂AIN单晶纳米棒。高纯Al粉、无水AlCl3，高纯Mn粉和NH3气分别作为Al源，Mn源和N源置于陶瓷舟中，经过去离子水和无水乙醇超声清洗的多晶Al2O3基片作为衬底扣置在陶瓷舟上。陶瓷舟置于中央加热区处，密封水平管式炉，炉内真空度抽至9×10-3Pa，通入流量为200sccm的氩气，并对管式炉进行加热。温度达到1400℃时，通入流量为30sccm的氨气并保持1h。然后，停止加热，关掉氨气，并保持氩气流量不变。自然冷却到室温，关掉氩气，取出衬底，得到样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，产物均匀性好，可控性好，对环境危害小，易于推广。