公开(公告)号：CN118981841A

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202410912121.7

申请日：2024-07-09

Applicant: 扬州大学

Inventor： 曹荣幸 ,  刘涵勋 ,  韩丹 ,  王祖军 ,  丁李利 ,  薛院院 ,  薛玉雄

IPC: G06F30/17 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  G06F30/25 ,  G06F30/23 ,  G06T17/20 ,  G06F111/10 ,  G06F119/06 ,  G06F119/02 ,  G06F119/08 ,  G06F113/08

Abstract: 一种氧化镓MOSFET器件抗单粒子烧毁加固结构及其仿真优化方法，为了解决现有技术中存在的氧化镓MOSFET器件在空间应用时容易受到重离子辐照而发生灾难性SEB的问题，本发明在现有的平面型氧化镓MOSFET器件结构中增加了栅场板、源场板和钝化层结构；由于地面单粒子试验加速器资源有限、辐照粒子能量不易调节、经济成本高，本发明利用半导体器件仿真软件TCAD，对栅、源场板的长度以及栅源场板下方的钝化层厚度等参数进行了仿真优化，得到抗SEB性能较好的器件结构，是一种有效的技术途径，能够弥补加速器的不足，促进Ga2O3 MOSFET器件的空间应用。