-
公开(公告)号：CN1690183A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510067052.1
申请日：2005-04-27
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 关东化学株式会社
IPC: C11D7/32 , G03F7/42 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02063 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D11/0047 , G03F7/426
Abstract: 制造半导体器件的方法在衬底上形成的镍硅化物层上形成层间绝缘膜，并通过使用在层间绝缘膜上形成的光致抗蚀剂图形作为掩模进行干蚀刻来形成通孔，然后通过灰化除去光致抗蚀剂图形。使用由具有1.0到5.0质量百分比的含氟化合物的含量、0.2到5.0质量百分比的螯合剂的含量和0.1到3.0质量百分比的有机酸盐的含量的水溶液组成的清洗液来清洗灰化工艺之后的晶片。
-
公开(公告)号：CN100429299C
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN03131434.1
申请日：2003-05-16
Applicant: 关东化学株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: C11D3/20 , C11D11/00 , C11D7/26 , H01L21/321
Abstract: 本发明提供一种对化学机械研磨后的半导体基板的表面上附着的微小粒子和金属杂质的除去性优良、且不腐蚀金属配线材料的洗涤液。该化学机械研磨后洗涤液组合物的特征在于，含有一种或两种以上脂肪族多元羧酸类和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，且pH不满3.0。
-
公开(公告)号：CN1322105C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200510067052.1
申请日：2005-04-27
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 关东化学株式会社
IPC: C11D7/32 , G03F7/42 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02063 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/265 , C11D11/0047 , G03F7/426
Abstract: 制造半导体器件的方法在衬底上形成的镍硅化物层上形成层间绝缘膜，并通过使用在层间绝缘膜上形成的光致抗蚀剂图形作为掩模进行干蚀刻来形成通孔，然后通过灰化除去光致抗蚀剂图形。使用由具有1.0到5.0质量百分比的含氟化合物的含量、0.2到5.0质量百分比的螯合剂的含量和0.1到3.0质量百分比的有机酸盐的含量的水溶液组成的清洗液来清洗灰化工艺之后的晶片。
-
公开(公告)号：CN1300641C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN03108247.5
申请日：2003-03-21
Applicant: 关东化学株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H05K3/06
CPC classification number: H01L21/02063 , G03F7/423
Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣除去液组合物，其在半导体电路元件的制造过程中，对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的除去性优良，且可以不腐蚀配线材料和不对阻挡层金属、层间绝缘膜材料产生损伤地进行光致抗蚀剂残渣的除去。该光致抗蚀剂残渣除去液组合物含有：一种或两种以上氟化合物、和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，但是该组合物不包括氟化铵、极性有机溶剂、水和抗坏血酸所组成的组合物。
-
公开(公告)号：CN1458256A
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN03131434.1
申请日：2003-05-16
Applicant: 关东化学株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: C11D3/20
CPC classification number: H01L21/02074 , C11D3/2075 , C11D7/26 , C11D11/0047
Abstract: 本发明提供一种对化学机械研磨后的半导体基板的表面上附着的微小粒子和金属杂质的除去性优良、且不腐蚀金属配线材料的洗涤液。该化学机械研磨后洗涤液组合物的特征在于，含有一种或两种以上脂肪族多元羧酸类和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，且pH不满3.0。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1447193A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03108247.5
申请日：2003-03-21
Applicant: 关东化学株式会社 , 恩益禧电子股份有限公司
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H05K3/06
CPC classification number: H01L21/02063 , G03F7/423
Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣除去液组合物，其在半导体电路元件的制造过程中，对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的除去性优良，且可以不腐蚀配线材料和不对阻挡层金属、层间绝缘膜材料产生损伤地进行光致抗蚀剂残渣的除去。该光致抗蚀剂残渣除去液组合物含有：一种或两种以上氟化合物、和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，但是该组合物不包括氟化铵、极性有机溶剂、水和抗坏血酸所组成的组合物。
-
公开(公告)号：CN110462795A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880020708.X
申请日：2018-03-05
Applicant: 关东化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C11D1/22 , C11D3/04 , C11D3/20 , C11D17/08
Abstract: 本发明提供如下的清洁液组合物：当清洁半导体基板或玻璃基板界面时，对形成基板界面的层的SiO2、Si3N4及Si等没有损坏，可在适用于化学机械抛光设备附带的刷擦洗清洁室的条件下使用，对于来自浆料中的磨粒的化合物的去除性高。本发明的清洁液组合物是用于清洁半导体基板或玻璃基板界面的清洁液组合物，包含一种或两种以上的结构内含有氟原子的无机酸或其盐、水、一种或两种以上的还原剂、以及一种或两种以上的阴离子界面活性剂，并且氢离子浓度(pH)小于7。
-
公开(公告)号：CN1645259B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200410100602.0
申请日：2004-12-09
CPC classification number: G03F7/423 , H01L21/02063 , H01L21/02071
Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣去除液组合物，其在半导体电路元件的制造工序中，提高在干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的去除性强，充分地抑制对铝、铜、钨及以各自金属为主要成分的合金的腐蚀，由于不配合有机溶剂等有机化合物，对环境的影响小，保存稳定性好。本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物及使用该光致抗蚀剂残渣去除液组合物的半导体电路元件的制造方法，配合有无机酸和无机氟化合物中的1种、2种或以上。
-
公开(公告)号：CN101523297A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780036153.X
申请日：2007-10-24
Applicant: 关东化学株式会社
Inventor： 大和田拓央
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , H01L21/304 , H01L21/3213 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/426 , H01L21/02071
Abstract: 本发明提供了一种光刻胶残渣及聚合物残渣去除液组合物以及使用该去除液组合物去除残渣的方法，该去除液组合物可以在低温、短时间内，去除半导体电路元件制造工序中产生的光刻胶残渣及聚合物残渣。本发明的组合物，可以去除在制造具有金属布线的半导体电路元件的工序中产生的光刻胶残渣和/或聚合物残渣，其含有氟化物的质量百分含量为0.5％－3.0％、水的质量百分含量不超过30％，pH值在4以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
41
records
(took 0.032 seconds)
