公开(公告)号：CN110462795A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880020708.X

申请日：2018-03-05

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 谷口优美子 ,  高中亚铃治 ,  大和田拓央

IPC: H01L21/304 ,  C11D1/22 ,  C11D3/04 ,  C11D3/20 ,  C11D17/08

Abstract: 本发明提供如下的清洁液组合物：当清洁半导体基板或玻璃基板界面时，对形成基板界面的层的SiO2、Si3N4及Si等没有损坏，可在适用于化学机械抛光设备附带的刷擦洗清洁室的条件下使用，对于来自浆料中的磨粒的化合物的去除性高。本发明的清洁液组合物是用于清洁半导体基板或玻璃基板界面的清洁液组合物，包含一种或两种以上的结构内含有氟原子的无机酸或其盐、水、一种或两种以上的还原剂、以及一种或两种以上的阴离子界面活性剂，并且氢离子浓度(pH)小于7。

公开(公告)号：CN1645259B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200410100602.0

申请日：2004-12-09

Applicant: 关东化学株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 川本浩 ,  宫里美季江 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/423 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣去除液组合物，其在半导体电路元件的制造工序中，提高在干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的去除性强，充分地抑制对铝、铜、钨及以各自金属为主要成分的合金的腐蚀，由于不配合有机溶剂等有机化合物，对环境的影响小，保存稳定性好。本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物及使用该光致抗蚀剂残渣去除液组合物的半导体电路元件的制造方法，配合有无机酸和无机氟化合物中的1种、2种或以上。

公开(公告)号：CN101523297A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036153.X

申请日：2007-10-24

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/027 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31133 ,  G03F7/426 ,  H01L21/02071

Abstract: 本发明提供了一种光刻胶残渣及聚合物残渣去除液组合物以及使用该去除液组合物去除残渣的方法，该去除液组合物可以在低温、短时间内，去除半导体电路元件制造工序中产生的光刻胶残渣及聚合物残渣。本发明的组合物，可以去除在制造具有金属布线的半导体电路元件的工序中产生的光刻胶残渣和/或聚合物残渣，其含有氟化物的质量百分含量为0.5％－3.0％、水的质量百分含量不超过30％，pH值在4以下。

公开(公告)号：CN1716104A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510081085.1

申请日：2005-06-29

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  池上薰 ,  石川典夫

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/423 ,  G03F7/425

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣的除去组合物，其用于在具有铜及以铜为主要成分的合金、各种低导电率膜的半导体装置的制造步骤中，除去在干蚀刻后及灰化后所残留的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣。该组合物包含至少1种氟化合物、至少1种有机酸、至少1种有机胺和水，且所述组合物的pH值为4～7，除了水以外的成分的总含量相对于全部组合物为0.3～30重量％。

公开(公告)号：CN1645259A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410100602.0

申请日：2004-12-09

Applicant: 关东化学株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 川本浩 ,  宫里美季江 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/423 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣去除液组合物，其在半导体电路元件的制造工序中，提高在干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的去除性强，充分地抑制对以铝、铜、钨及各种金属为主要成分的合金的腐蚀，由于不配合有机溶剂等有机化合物，对环境的影响小，保存稳定性好。本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物及使用该光致抗蚀剂残渣去除液组合物的半导体电路元件的制造方法，配合有无机酸和无机氟化合物中的1种、2种或以上。

公开(公告)号：CN108690984B

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN201810273822.5

申请日：2018-03-29

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 清水寿和 ,  大和田拓央

IPC: C23F1/26

Abstract: 本发明的课题在于提供能够在对Qz基板不造成破坏的情况下对MoSi膜进行选择性的蚀刻的蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。一种用于对MoSi膜进行蚀刻处理的蚀刻液组合物，其中，包含少于3.5重量％的氟化合物、水和含碘氧化剂。

公开(公告)号：CN103605266B

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201310475754.8

申请日：2007-10-24

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明提供了一种光刻胶残渣及聚合物残渣去除液组合物以及使用该去除液组合物去除残渣的方法，该去除液组合物可以在低温、短时间内，去除半导体电路元件制造工序中产生的光刻胶残渣及聚合物残渣。本发明的组合物，可以去除在制造具有金属布线的半导体电路元件的工序中产生的光刻胶残渣和/或聚合物残渣，其含有氟化物的质量百分含量为0.5%‑3.0%、水的质量百分含量不超过30%，pH值在4以下。

公开(公告)号：CN103146509A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210517904.2

申请日：2012-12-05

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 谷口优美子 ,  守田菊恵 ,  堀家千代子 ,  大和田拓央

IPC: C11D7/32 ,  C11D7/36 ,  C11D10/02

CPC classification number: C11D7/3209 ,  C11D3/30 ,  C11D3/361 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/18 ,  C23G1/20 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02068

Abstract: 本发明提供一种在半导体元件等电子设备的制造工艺中对金属杂质和微粒的除去性能优异且不腐蚀Cu，对含有铜配线的半导体基板进行清洁的清洁液组合物。所述清洁液组合物为对含有铜配线的半导体基板进行清洁的清洁液组合物，包括一种或两种以上的不含金属的碱性化合物以及一种或两种以上膦酸类螯合剂，且氢离子浓度(pH)为8～10。本发明还提供上述清洁液组合物的浓缩液，以及使用该清洁液组合物的清洁方法。

公开(公告)号：CN1716104B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200510081085.1

申请日：2005-06-29

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  池上薰 ,  石川典夫

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/423 ,  G03F7/425

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣的除去组合物，其用于在具有铜及以铜为主要成分的合金、各种低介电常数膜的半导体装置的制造步骤中，除去在干蚀刻后及灰化后所残留的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣。该组合物包含至少1种氟化合物、至少1种有机酸、至少1种有机胺和水，且所述组合物的pH值为4～7，除了水以外的成分的总含量相对于全部组合物为0.3～30重量％。

公开(公告)号：CN1423172A

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN02155744.6

申请日：2002-12-04

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  大和田拓央

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3213

CPC classification number: G03F7/422

Abstract: 一种光致抗蚀剂残渣除去液组合物,其特征在于,该组合物含有从脂肪族多元羧酸及其盐组成的组中选择的一种或两种以上,和从还原性化合物及其盐组成的组中选择的一种或两种以上。该组合物在半导体电路元件的制造步骤中,对干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的除去性优良,且可以不腐蚀配线材料和不对配线材料和层间绝缘膜材料产生化学浸蚀。