公开(公告)号：CN110462795A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880020708.X

申请日：2018-03-05

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 谷口优美子 ,  高中亚铃治 ,  大和田拓央

IPC: H01L21/304 ,  C11D1/22 ,  C11D3/04 ,  C11D3/20 ,  C11D17/08

Abstract: 本发明提供如下的清洁液组合物：当清洁半导体基板或玻璃基板界面时，对形成基板界面的层的SiO2、Si3N4及Si等没有损坏，可在适用于化学机械抛光设备附带的刷擦洗清洁室的条件下使用，对于来自浆料中的磨粒的化合物的去除性高。本发明的清洁液组合物是用于清洁半导体基板或玻璃基板界面的清洁液组合物，包含一种或两种以上的结构内含有氟原子的无机酸或其盐、水、一种或两种以上的还原剂、以及一种或两种以上的阴离子界面活性剂，并且氢离子浓度(pH)小于7。

公开(公告)号：CN103146509A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210517904.2

申请日：2012-12-05

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 谷口优美子 ,  守田菊恵 ,  堀家千代子 ,  大和田拓央

IPC: C11D7/32 ,  C11D7/36 ,  C11D10/02

CPC classification number: C11D7/3209 ,  C11D3/30 ,  C11D3/361 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047 ,  C23G1/18 ,  C23G1/20 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02068

Abstract: 本发明提供一种在半导体元件等电子设备的制造工艺中对金属杂质和微粒的除去性能优异且不腐蚀Cu，对含有铜配线的半导体基板进行清洁的清洁液组合物。所述清洁液组合物为对含有铜配线的半导体基板进行清洁的清洁液组合物，包括一种或两种以上的不含金属的碱性化合物以及一种或两种以上膦酸类螯合剂，且氢离子浓度(pH)为8～10。本发明还提供上述清洁液组合物的浓缩液，以及使用该清洁液组合物的清洁方法。