公开(公告)号：CN110462795A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880020708.X

申请日：2018-03-05

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 谷口优美子 ,  高中亚铃治 ,  大和田拓央

IPC: H01L21/304 ,  C11D1/22 ,  C11D3/04 ,  C11D3/20 ,  C11D17/08

Abstract: 本发明提供如下的清洁液组合物：当清洁半导体基板或玻璃基板界面时，对形成基板界面的层的SiO2、Si3N4及Si等没有损坏，可在适用于化学机械抛光设备附带的刷擦洗清洁室的条件下使用，对于来自浆料中的磨粒的化合物的去除性高。本发明的清洁液组合物是用于清洁半导体基板或玻璃基板界面的清洁液组合物，包含一种或两种以上的结构内含有氟原子的无机酸或其盐、水、一种或两种以上的还原剂、以及一种或两种以上的阴离子界面活性剂，并且氢离子浓度(pH)小于7。

公开(公告)号：CN110140196B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN201780078862.8

申请日：2017-12-26

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 守田菊惠 ,  高中亚铃治 ,  大和田拓央

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/32 ,  C11D7/36 ,  C11D17/08 ,  C23G1/20

Abstract: 本发明提供在半导体元件等电子器件的制造工序中的实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗中有用的清洗液组合物。本发明的清洗液组合物是一种用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或2种以上的含氮杂环式单环芳香族化合物，所述含氮杂环式单环芳香族化合物具有1个以上的羧基或酯基，而具有1个以上的氨基的情况下仅具有与含氮杂环直接结合的氨基。所述清洗液组合物中氢离子浓度(pH)为8～12。

公开(公告)号：CN110140196A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201780078862.8

申请日：2017-12-26

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 守田菊惠 ,  高中亚铃治 ,  大和田拓央

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/32 ,  C11D7/36 ,  C11D17/08 ,  C23G1/20

Abstract: 本发明提供在半导体元件等电子器件的制造工序中的实施了化学机械研磨(CMP)处理等的基板等的清洗中有用的清洗液组合物。本发明的清洗液组合物是一种用于清洗具有Cu布线的基板的清洗液组合物，其中，包含1种或2种以上的碱性化合物以及1种或2种以上的含氮杂环式单环芳香族化合物，所述含氮杂环式单环芳香族化合物具有1个以上的羧基或酯基，而具有1个以上的氨基的情况下仅具有与含氮杂环直接结合的氨基。所述清洗液组合物中氢离子浓度(pH)为8～12。

公开(公告)号：CN112639068A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201980054513.1

申请日：2019-09-19

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 高中亚铃治

IPC: C11D7/26 ,  C11D7/22 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明的目的在于，提供短时间内有效地去除在具有Co接触插头或Co布线的半导体基板中的来源于浆料的有机残留物或磨粒的清洗液。本发明涉及包含一种或两种以上的还原剂及水的用于清洗具有Co接触插头和/或Co布线的基板的清洗液组合物。并且，本发明涉及包含一种或两种以上的还原剂及水，pH为3以上且小于12的用于清洗具有Co且不具有Cu的基板的清洗液组合物。