公开(公告)号：CN1645259B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200410100602.0

申请日：2004-12-09

Applicant: 关东化学株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 川本浩 ,  宫里美季江 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/423 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣去除液组合物，其在半导体电路元件的制造工序中，提高在干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的去除性强，充分地抑制对铝、铜、钨及以各自金属为主要成分的合金的腐蚀，由于不配合有机溶剂等有机化合物，对环境的影响小，保存稳定性好。本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物及使用该光致抗蚀剂残渣去除液组合物的半导体电路元件的制造方法，配合有无机酸和无机氟化合物中的1种、2种或以上。

公开(公告)号：CN1645259A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410100602.0

申请日：2004-12-09

Applicant: 关东化学株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 川本浩 ,  宫里美季江 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/423 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣去除液组合物，其在半导体电路元件的制造工序中，提高在干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的去除性强，充分地抑制对以铝、铜、钨及各种金属为主要成分的合金的腐蚀，由于不配合有机溶剂等有机化合物，对环境的影响小，保存稳定性好。本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物及使用该光致抗蚀剂残渣去除液组合物的半导体电路元件的制造方法，配合有无机酸和无机氟化合物中的1种、2种或以上。

公开(公告)号：CN1120738A

公开(公告)日：1996-04-17

申请号：CN95105165.2

申请日：1995-04-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村幸治 ,  中岛雄一 ,  川本浩

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L21/8249 ,  H01L21/76895

Abstract: 在半导体基片的元件区上形成第一导电膜4。在半导体基片上形成一绝缘膜5，以覆盖第一导电膜。第二导电膜6覆盖绝缘膜的端部。该第一导电膜被用作MOS晶体管的栅电极，而第二导电膜6被用作覆盖和保护绝缘膜端部和双极晶体管引出电极的保护膜。对导电层刻图所获得的第二导电膜覆盖和保护绝缘膜5的端部。再对导电层刻图，以便覆盖住绝缘膜5的端部及其上形成的台阶部位，再用该图形进行各向异性刻蚀。如此可避免在因覆盖第一导电膜所形成的台阶部位上的第二导电膜的侧壁形成残留物。

公开(公告)号：CN1051642C

公开(公告)日：2000-04-19

申请号：CN95105165.2

申请日：1995-04-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村幸治 ,  中岛雄一 ,  川本浩

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L21/8249 ,  H01L21/76895

Abstract: 在半导体基片的元件区上形成第一导电膜4。在半导体基片上形成一绝缘膜5，以覆盖第一导电膜。第二导电膜6覆盖绝缘膜的端部。该第一导电膜被用作MOS晶体管的栅电极，而第二导电膜6被用作覆盖和保护绝缘膜端部和双极晶体管引出电极的保护膜。对导电层刻图所获得的第二导电膜覆盖和保护绝缘膜5的端部。再对导电层刻图，以便覆盖住绝缘膜5的端部及其上形成的台阶部位，再用该图形进行各向异性刻蚀。如此可避免在因覆盖第一导电膜所形成的台阶部位上的第二导电膜的侧壁形成残留物。