公开(公告)号：CN1645259B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200410100602.0

申请日：2004-12-09

Applicant: 关东化学株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 川本浩 ,  宫里美季江 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/423 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣去除液组合物，其在半导体电路元件的制造工序中，提高在干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的去除性强，充分地抑制对铝、铜、钨及以各自金属为主要成分的合金的腐蚀，由于不配合有机溶剂等有机化合物，对环境的影响小，保存稳定性好。本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物及使用该光致抗蚀剂残渣去除液组合物的半导体电路元件的制造方法，配合有无机酸和无机氟化合物中的1种、2种或以上。

公开(公告)号：CN1645259A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410100602.0

申请日：2004-12-09

Applicant: 关东化学株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 川本浩 ,  宫里美季江 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/423 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣去除液组合物，其在半导体电路元件的制造工序中，提高在干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的去除性强，充分地抑制对以铝、铜、钨及各种金属为主要成分的合金的腐蚀，由于不配合有机溶剂等有机化合物，对环境的影响小，保存稳定性好。本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物及使用该光致抗蚀剂残渣去除液组合物的半导体电路元件的制造方法，配合有无机酸和无机氟化合物中的1种、2种或以上。