公开(公告)号：CN1733879B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN200510091415.5

申请日：2005-08-10

Applicant: 株式会社东芝 ,  关东化学株式会社

Inventor： 富田宽 ,  山田裕司 ,  山田浩玲 ,  石川典夫 ,  阿部优美子

IPC: C11D7/36 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D7/08 ,  C11D7/34 ,  C11D7/36 ,  C11D11/0047

Abstract: 本发明开发一种洗涤液，其不蚀刻硅基板以及玻璃基板，且对由氧化铝粒子、二氧化硅粒子或者氮化硅粒子组成的粒子的除去能力高，还能够除去金属污染。本发明的半导体基板洗涤液组合物含有选自1分子中具有至少2个或更多个磺酸基的化合物、肌醇六磷酸和缩合磷酸化合物中的1种、2种或更多种、无机酸和水。本发明的半导体基板的洗涤方法包括第一工序和第二工序，其中，所述第一工序是用含有具有磺酸基的高分子化合物、肌醇六磷酸和缩合磷酸化合物中的1种、2种或更多种、无机酸和水的半导体基板洗涤液组合物洗涤半导体基板，所述第二工序是继第一工序之后，用纯水或溶解有臭氧气体的臭氧水或过氧化氢水洗涤所述半导体基板。

公开(公告)号：CN1645259B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200410100602.0

申请日：2004-12-09

Applicant: 关东化学株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 川本浩 ,  宫里美季江 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/423 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣去除液组合物，其在半导体电路元件的制造工序中，提高在干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的去除性强，充分地抑制对铝、铜、钨及以各自金属为主要成分的合金的腐蚀，由于不配合有机溶剂等有机化合物，对环境的影响小，保存稳定性好。本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物及使用该光致抗蚀剂残渣去除液组合物的半导体电路元件的制造方法，配合有无机酸和无机氟化合物中的1种、2种或以上。

公开(公告)号：CN101649202A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200910164091.1

申请日：2009-08-10

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 村上豊 ,  石川典夫

IPC: C09K13/00 ,  C09K13/02

Abstract: 本发明是有关于一种透明导电膜用腐蚀液组合物，其在液晶显示器等使用的ITO膜等的透明导电膜用腐蚀处理中草酸铟析出是很少的。通过含有草酸和、碱性化合物(其中三乙醇胺除外)的透明导电膜用腐蚀液组合物，在透明导电膜腐蚀工序中即使腐蚀液中的铟的浓度很高也可以有效地防止草酸铟的析出。

公开(公告)号：CN101538716A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910132574.3

申请日：2001-02-23

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 青木秀充 ,  渡边香织 ,  石川典夫 ,  森清人

IPC: C23F1/30 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明提供一种含钌金属的去除剂及其使用方法，该去除剂包括(a)硝酸铈(IV)盐和(b)选自硝酸、高氯酸和乙酸构成的组中的至少一种酸。

公开(公告)号：CN1716104A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510081085.1

申请日：2005-06-29

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 大和田拓央 ,  池上薰 ,  石川典夫

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/423 ,  G03F7/425

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣的除去组合物，其用于在具有铜及以铜为主要成分的合金、各种低导电率膜的半导体装置的制造步骤中，除去在干蚀刻后及灰化后所残留的光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣。该组合物包含至少1种氟化合物、至少1种有机酸、至少1种有机胺和水，且所述组合物的pH值为4～7，除了水以外的成分的总含量相对于全部组合物为0.3～30重量％。

公开(公告)号：CN1645259A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410100602.0

申请日：2004-12-09

Applicant: 关东化学株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 川本浩 ,  宫里美季江 ,  大和田拓央 ,  石川典夫

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/423 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02071

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂残渣去除液组合物，其在半导体电路元件的制造工序中，提高在干蚀刻后残留的光致抗蚀剂残渣的去除性强，充分地抑制对以铝、铜、钨及各种金属为主要成分的合金的腐蚀，由于不配合有机溶剂等有机化合物，对环境的影响小，保存稳定性好。本发明的光致抗蚀剂残渣去除液组合物及使用该光致抗蚀剂残渣去除液组合物的半导体电路元件的制造方法，配合有无机酸和无机氟化合物中的1种、2种或以上。

公开(公告)号：CN1311351A

公开(公告)日：2001-09-05

申请号：CN01104252.4

申请日：2001-02-23

Applicant: 日本电气株式会社 ,  关东化学株式会社

Inventor： 青木秀充 ,  渡边香织 ,  石川典夫 ,  森清人

IPC: C23F1/30

Abstract: 本发明提供一种去除剂,该去除剂包括(a)硝酸铈(Ⅳ)盐和(b)选自硝酸、高氯酸和乙酸构成的组中的至少一种酸。

公开(公告)号：CN101717939A

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200910179043.X

申请日：2009-10-09

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 石川典夫 ,  守田菊惠

IPC: C23F1/32 ,  C11D7/32 ,  C11D7/06 ,  C11D7/60 ,  B08B3/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/302

CPC classification number: C09K13/02 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/30608

Abstract: 作为半导体基板或玻璃基板的清洗液或蚀刻液，采用氨、四甲基氢氧化铵以及氢氧化钠等水溶液，但由于碱成分中的金属杂质在处理过程中会吸附于基板表面，因此需要除去吸附的金属杂质的工序以作为后续工序。另外，在清洗液的情况下，虽然对微粒的除去有效果，但由于金属杂质无法清洗，因此需要进行酸清洗，工序变得复杂。本发明提供一种碱性水溶液的、无金属杂质的吸附且还具有清洗能力的基板处理用水溶液组合物。利用由碱成分和特定螯合剂组合而成的基板处理用碱性水溶液，能够防止金属杂质在基板上的吸附，进而将吸附在基板上的金属清洗除去。根据需要，还可以加入金属防蚀剂和表面活性剂，抑制金属材料的腐蚀或者提高与基板的亲和性以及提高微粒除去能力。

公开(公告)号：CN100513544C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200410033493.5

申请日：2004-04-09

Applicant: 关东化学株式会社

Inventor： 阿部优美子 ,  石川典夫

IPC: C11D7/26 ,  H01L21/08

CPC classification number: C11D7/5022 ,  C11D7/263 ,  C11D7/265 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02093

Abstract: 本发明涉及一种洗涤液，其具有从裸硅表面、Low-K膜这样的疏水性表面将粒子除去的高粒子去除能力。本发明通过在诸如草酸的有机酸的水溶液中组合特定的有机溶剂，使洗涤液与疏水性表面的润湿性提高。

公开(公告)号：CN100429299C

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN03131434.1

申请日：2003-05-16

Applicant: 关东化学株式会社 ,  恩益禧电子股份有限公司

Inventor： 阿部优美子 ,  大和田拓央 ,  石川典夫 ,  青木秀充 ,  富盛浩昭

IPC: C11D3/20 ,  C11D11/00 ,  C11D7/26 ,  H01L21/321

Abstract: 本发明提供一种对化学机械研磨后的半导体基板的表面上附着的微小粒子和金属杂质的除去性优良、且不腐蚀金属配线材料的洗涤液。该化学机械研磨后洗涤液组合物的特征在于，含有一种或两种以上脂肪族多元羧酸类和从乙醛酸、抗坏血酸、葡萄糖、果糖、乳糖和甘露糖组成的组中选择的一种或两种以上，且pH不满3.0。