公开(公告)号：CN102820222A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210296623.9

申请日：2009-02-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01G4/1227 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

Abstract: 作为第一有机金属化合物原料，使用蒸气压低且有机配体容易被氧化剂分解而产生CO的化合物，作为第二有机金属化合物原料，使用金属醇盐，作为氧化剂，使用气态的O3或者O2，将它们导入处理容器内而在基板上形成AxByOz型的氧化物膜，在即将导入氧化剂之前，必须导入上述第二有机金属化合物原料。

公开(公告)号：CN102703877A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210082649.3

申请日：2012-03-26

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 两角友一朗 ,  菅原卓也 ,  秋山浩二 ,  菱屋晋吾 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/02189 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66181

Abstract: 本发明涉及成膜含有氧化锆膜的电介质膜的方法，该方法具有：供给由在结构中含有环戊二烯基环的锆化合物构成的锆原料和氧化剂，在被处理基板上成膜氧化锆膜的工序；供给由在结构中含有环戊二烯基环的钛化合物构成的钛原料和氧化剂，在上述氧化锆膜上成膜氧化钛膜的工序。

公开(公告)号：CN102089872A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980105722.0

申请日：2009-02-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01G4/1227 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

Abstract: 作为第一有机金属化合物原料，使用蒸气压低且有机配体容易被氧化剂分解而产生CO的化合物，作为第二有机金属化合物原料，使用金属醇盐，作为氧化剂，使用气态的O3或者O2，将它们导入处理容器内而在基板上形成AxByOz型的氧化物膜，在即将导入氧化剂之前，必须导入上述第二有机金属化合物原料。

公开(公告)号：CN101971303A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200880103167.3

申请日：2008-09-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供Sr-Ti-O系膜的成膜方法，以膜中的Sr与Ti的比率Sr/Ti按原子数比计为1.2～3的方式进行成膜后，在含有0.001％～80％的O2的气氛中，在500℃以上进行退火。此外，以包含将多个SrO膜成膜阶段和多个TiO膜成膜阶段多次连续进行这样的次序的方式，多次进行上述SrO膜成膜阶段和上述TiO膜成膜阶段。进而，在使Sr吸附后、使Sr氧化时，使用O3和H2O作为氧化剂。

公开(公告)号：CN102810515A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210158877.4

申请日：2012-05-21

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 清村贵利 ,  广田俊幸 ,  两角友一朗 ,  菱屋晋吾

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02356 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L28/91

Abstract: 本发明提供一种形成具有金红石晶体结构的氧化钛膜的方法，所述金红石晶体结构具有高电容率。所述方法包括：形成无定形氧化锆膜的步骤；通过原子层沉积(ALD)法使用甲基环戊二烯基三(二甲基氨基)钛作为钛前体在所述无定形氧化锆膜上形成无定形氧化钛膜的步骤；以及通过在300℃以上的温度下的退火至少使所述无定形氧化钛膜结晶的步骤。

公开(公告)号：CN102446890A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110296815.5

申请日：2011-09-27

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 广田俊幸 ,  清村贵利 ,  两角友一朗 ,  菱屋晋吾

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法、以及吸附位阻断原子层沉积法。在电容器的电介质膜中，为了即使设置用于改善泄漏特性的Al掺杂层，也不能通过Al掺杂层截断电介质膜，从而抑制了尺寸效应的影响，提供结晶性良好的电介质膜，而在电介质膜中具有至少1层Al掺杂层，将Al掺杂层的1层的Al原子的表面密度设为不足1.4E+14[atoms/cm2]。另外，为实现其表面密度，而采用基于通常的ALD的电介质膜成膜、和吸附位阻断ALD法实现的Al添加的组合，该吸附位阻断ALD法在进行限制Al源的吸附位的阻滞剂分子的吸附后，吸附Al源，导入反应气体进行反应。

公开(公告)号：CN1700415A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510073963.5

申请日：2005-05-19

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 小松宪代 ,  相宗史记 ,  广田俊幸

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/28525 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76888 ,  H01L27/10888

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在衬底上形成硅晶核、淀积第一非晶硅、淀积第二非晶硅、以及通过使晶核以固相方式生长而使第一和第二非晶硅晶化。

公开(公告)号：CN101971303B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200880103167.3

申请日：2008-09-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供Sr-Ti-O系膜的成膜方法，以膜中的Sr与Ti的比率Sr/Ti按原子数比计为1.2～3的方式进行成膜后，在含有0.001％～80％的O2的气氛中，在500℃以上进行退火。此外，以包含将多个SrO膜成膜阶段和多个TiO膜成膜阶段多次连续进行这样的次序的方式，多次进行上述SrO膜成膜阶段和上述TiO膜成膜阶段。进而，在使Sr吸附后、使Sr氧化时，使用O3和H2O作为氧化剂。

公开(公告)号：CN102089872B

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN200980105722.0

申请日：2009-02-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/45531 ,  H01G4/1227 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

Abstract: 作为第一有机金属化合物原料，使用蒸气压低且有机配体容易被氧化剂分解而产生CO的化合物，作为第二有机金属化合物原料，使用金属醇盐，作为氧化剂，使用气态的O3或者O2，将它们导入处理容器内而在基板上形成AxByOz型的氧化物膜，在即将导入氧化剂之前，必须导入上述第二有机金属化合物原料。

公开(公告)号：CN102089871A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980105714.6

申请日：2009-02-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  尔必达存储器株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  有马进 ,  柿本明修 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: H01L21/316 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/31691 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/56 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/33 ,  H01L28/40

Abstract: Sr-Ti-O系膜的成膜方法包括：在处理容器内配置形成有Ru膜的基板，向上述处理容器内导入气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂，在Ru膜上形成厚度为10nm以下的第一Sr-Ti-O系膜的工序；对第一Sr-Ti-O系膜进行退火使其结晶化的工序；向处理容器内导入气态的Ti原料、气态的Sr原料和气态的氧化剂，在第一Sr-Ti-O系膜上形成第二Sr-Ti-O系膜的工序；和对第二Sr-Ti-O系膜进行退火使其结晶化的工序。