公开(公告)号：CN1700415A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510073963.5

申请日：2005-05-19

Applicant: 尔必达存储器株式会社

Inventor： 小松宪代 ,  相宗史记 ,  广田俊幸

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L21/28525 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76888 ,  H01L27/10888

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在衬底上形成硅晶核、淀积第一非晶硅、淀积第二非晶硅、以及通过使晶核以固相方式生长而使第一和第二非晶硅晶化。