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公开(公告)号：CN111611126A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010107459.7
申请日：2020-02-21
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明涉及采样设备和用于控制采样设备的方法。采样设备包括：状态保存单元，其保存多个状态变量的值并每隔一定试验次数将其输出；能量变化计算单元，其基于根据更新索引值选择的权重值计算能量变化值；第一偏移控制单元，其基于多个能量变化值确定第一偏移值并每隔一定试验次数将其输出，输出通过将第一偏移值与多个能量变化值相加获得的多个第一评估值；第一比较单元，其基于将多个第一评估值与阈值比较的结果输出多个第一标志值；第一标志计数单元，其每隔一定试验次数输出通过对指示允许状态转换的第一标志值的数目计数获得的第一计数值；以及选择单元，其基于多个第一标志值或多个能量变化值将与状态转换之一对应的索引值输出为更新索引值。
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公开(公告)号：CN101093795A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200710126300.4
申请日：2004-06-18
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/316 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02266 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L21/02356 , H01L21/31612 , H01L21/3162 , H01L21/76801 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/57 , H01L28/65
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法。所述制造方法包括以下步骤：在半导体基底上形成层间绝缘膜；平面化层间绝缘膜的表面；在层间绝缘膜上形成氧化铝膜；在氧化气氛中加热氧化铝膜；以及在氧化铝膜上形成铁电电容器。通过本发明的制造方法，可以防止过量的铝存在于氧化铝膜的表面上，从而改进了在氧化铝膜上形成的铂膜的结晶化，使得半导体器件具有高可靠性。
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公开(公告)号：CN113536229A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110171666.3
申请日：2021-02-08
Applicant: 富士通株式会社
Abstract: 本发明涉及采样装置、采样方法以及用于存储采样程序的存储介质。采样方法，包括：执行状态更新处理；执行重复计数计算处理；执行交换控制处理；以及执行输出处理，所述状态更新处理被配置成：保持多个状态变量组的值，多个状态变量组中的每个状态变量组均包括多个状态变量，所述多个状态变量包括在指示伊辛模型的能量的评估函数中，以及通过基于温度值——其中不同的值分别与多个状态变量组相关联——以及由于多个状态变量中的任意一个状态变量的变化引起的能量的变化量在每次尝试中改变多个状态变量中的任意一个状态变量来生成状态转换，输出处理被配置成以预定间隔输出多个状态变量的值和期望值。
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公开(公告)号：CN117786275A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311168582.X
申请日：2023-09-11
Inventor： 陈思庚 , 杰弗里·塞特·罗森塔尔 , 阿里·谢赫勒斯拉米 , 田村泰孝 , 土手晓
Abstract: 本发明涉及数据处理装置和数据处理方法。存储单元存储系数中与从多个变量组中选择的一个变量组相关联的系数组的值，多个变量组是通过对评价函数的状态变量进行划分而获得的。搜索单元通过重复更新处理来搜索优化问题的解，更新处理包括使用系数组的值来计算响应于改变变量组的每个状态变量的值的评价函数的值变化，并且基于值变化和温度来改变变量组的一个状态变量的值。处理单元计算多重性，多重性指示在使用马尔可夫链蒙特卡罗(MCMC)的搜索中维持变量组的值的迭代计数，并且响应于累积的多重性超过阈值，使搜索单元使用与不同变量组相关联的系数组的值来执行更新处理。
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公开(公告)号：CN116894491A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310006521.7
申请日：2023-01-04
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 土手晓
Abstract: 本申请涉及优化装置、优化方法和计算机可读存储介质。优化装置包括：状态保存单元，该状态保存单元保存评估函数中包括的多个状态变量的值中的每个值；计算单元，该计算单元在多个状态变量的值中的任何一个值以基于多个状态变量中的每个状态变量的权重值的概率改变时，计算评估函数的变化值，并且基于所计算的变化值、以及与对其值已经改变的状态变量的变化的敏感性对应的校正值来计算用于评估在所述多个状态变量中接受哪个状态转换的评估值；以及更新单元，该更新单元基于所计算的评估值来改变多个状态变量中的任何一个状态变量的保存值之一。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1808717A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510072992.X
申请日：2005-05-25
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/82
CPC classification number: H01L27/11507 , H01L21/76816 , H01L21/76832 , H01L21/7687 , H01L27/11502 , H01L28/57
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括：半导体衬底；MOS晶体管，形成在所述半导体衬底中，并具有绝缘栅以及所述绝缘栅两侧的源/漏区；铁电电容器，形成在所述半导体衬底上方，并具有下电极、铁电层及上电极；金属膜，形成在所述上电极上，并且其厚度为所述上电极厚度的一半或更薄；层间绝缘膜，埋置所述铁电电容器及所述金属膜；导电栓，形成为穿过所述层间绝缘膜、到达所述金属膜，并包括导电胶膜和钨体；以及铝接线，形成在所述层间绝缘膜上，并连接至所述导电栓。本发明解决了在F电容器上采用W栓而可能产生的靠近上电极接触的新问题。
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公开(公告)号：CN1649156A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200410059367.7
申请日：2004-06-18
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822 , H01L21/31 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02266 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L21/02356 , H01L21/31612 , H01L21/3162 , H01L21/76801 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/57 , H01L28/65
Abstract: 形成第一层间绝缘膜，然后在其上形成SiO2覆盖膜，并通过进行热处理去除第一层间绝缘膜和SiO2覆盖膜中的湿气。然后，在SiO2覆盖膜上形成Al2O3膜。随后，在氧化气氛中在Al2O3膜上进行热处理，从而加速其表面的氧化。然后，在Al2O3膜上，形成并图形化铂膜、PLZT膜和IrO2膜，从而形成包括上电极、容量绝缘膜和下电极的铁电电容器。
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公开(公告)号：CN115329978A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210143157.4
申请日：2022-02-16
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 土手晓
IPC: G06N20/00
Abstract: 本发明涉及程序和信息处理设备。一种程序，在该程序中计算机执行以下处理：执行搜索处理，该搜索处理根据预定顺序重复地执行选择、确定和状态改变，以搜索由包括多个状态变量的能量函数表示的问题的解。搜索处理包括：对在搜索处理中确定变化候选的状态变量的值将连续不被改变的次数进行计数；以及当在计数处理中计数的次数达到预定次数时，利用偏移来校正与变化候选的状态变量的值的变化对应的能量函数的变化量。该确定包括在校正变化量之后，执行基于校正后的变化量来确定是否改变变化候选的状态变量的值。
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公开(公告)号：CN101246890A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810005644.4
申请日：2008-02-14
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L23/00 , H01L23/522 , H01L21/8247 , H01L21/8246 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/11507 , H01L27/11502 , H01L28/55
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其具有：含铁电膜的铁电电容器，具有形成在所述铁电电容器上的第一层的层间绝缘膜，连接到所述铁电电容器的插塞和布线，以及在所述铁电电容器邻近处的虚置插塞。本发明还提供上述半导体器件的制造方法。利用本发明的半导体器件制造方法，可以实现一种FeRAM，其中由氢气和潮气造成的铁电电容器的性能下降能够被有效抑制。另外，按照本发明，抑制铁电电容器性能下降的FeRAM可以在不增加制造步骤数量的情况下形成。
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公开(公告)号：CN100334736C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200410059367.7
申请日：2004-06-18
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822 , H01L21/31 , H01L21/00
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02266 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L21/02356 , H01L21/31612 , H01L21/3162 , H01L21/76801 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/57 , H01L28/65
Abstract: 形成第一层间绝缘膜，然后在其上形成SiO2覆盖膜，并通过进行热处理去除第一层间绝缘膜和SiO2覆盖膜中的湿气。然后，在SiO2覆盖膜上形成Al2O3膜。随后，在氧化气氛中在Al2O3膜上进行热处理，从而加速其表面的氧化。然后，在Al2O3膜上，形成并图形化铂膜、PLZT膜和IrO2膜，从而形成包括上电极、容量绝缘膜和下电极的铁电电容器。
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