公开(公告)号：CN101536188A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200680056260.4

申请日：2006-11-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉田亲子 ,  能代英之 ,  饭塚隆

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 一种电阻存储元件，其记忆高电阻状态和低电阻状态，通过施加电压来切换高电阻状态和低电阻状态，该电阻存储元件具有：电极层(14)，其由氮化钛膜构成；电阻存储层(16)，其形成在电极层(14)上，而且由具有金红石相的结晶结构的氧化钛膜构成；电极层(18)，其形成在电阻存储层(16)上。由此，能够实现切换速度快且切换电流小的电阻存储元件。另外，通过利用这样的电阻存储元件，能够构成写入速度快且消耗功率少的非易失性半导体存储装置。

公开(公告)号：CN101536188B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200680056260.4

申请日：2006-11-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 吉田亲子 ,  能代英之 ,  饭塚隆

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633

Abstract: 一种电阻存储元件，其记忆高电阻状态和低电阻状态，通过施加电压来切换高电阻状态和低电阻状态，该电阻存储元件具有：电极层(14)，其由氮化钛膜构成；电阻存储层(16)，其形成在电极层(14)上，而且由具有金红石相的结晶结构的氧化钛膜构成；电极层(18)，其形成在电阻存储层(16)上。由此，能够实现切换速度快且切换电流小的电阻存储元件。另外，通过利用这样的电阻存储元件，能够构成写入速度快且消耗功率少的非易失性半导体存储装置。