公开(公告)号：CN101326632A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200580052286.7

申请日：2005-12-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 浅野正义 ,  铃木嘉之 ,  伊藤哲也 ,  和田一

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L29/66181 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/1087 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/945

Abstract: 在半导体器件的制造方法中，在半导体衬底(11)上形成元件分离用沟槽(14)；在半导体衬底的整个面上，中间隔着绝缘薄膜(12、72)形成具有不能完全填埋所述沟槽的厚度的第一多晶硅膜(15a、35a)；以杂质不穿透衬底表面的能量，向所述第一多晶硅膜的规定部位注入杂质；在所述第一多晶硅膜上形成第二多晶硅膜(15b、35b)，所述第二多晶硅膜(15b、35b)具有确保晶体管的工作所需膜厚的厚度；将所述第一及第二多晶硅膜加工成规定形状，并同时形成沟槽电容器用单元板电极(16、46)和晶体管的栅电极(17、47、49n、49p)。

公开(公告)号：CN101097918A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200610162404.6

申请日：2006-11-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 江间泰示 ,  浅野正义 ,  姊崎彻 ,  有吉润一

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/092 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823892 ,  H01L27/0921 ,  H01L27/11803

Abstract: 根据本发明提供了一种半导体器件，包括：p型硅衬底；形成在该硅衬底中的浅n阱；形成在该硅衬底中的浅n阱旁边的浅p阱；以及形成在该硅衬底中的浅p阱旁边的深n阱，并且该深n阱比该浅p阱深。此外，在该硅衬底中的浅p阱和深n阱之间形成有深p阱，该深p阱比该浅p阱深。

公开(公告)号：CN1716621A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200410081945.7

申请日：2004-12-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大川成实 ,  浅野正义 ,  野村俊雄

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种图像传感器，具有多个像素，每个包含光电转换元件和阈值电压随该光电转换元件所产生的电荷而波动的检测晶体管。该图像传感器包括第二导电类型的屏蔽区和第一导电类型的光电转换区；链接到该光电转换区的第一导电类型的阱区；环形栅极；在该环形栅极内部的第二导电类型的源极区；第二导电类型的漏极区。该图像传感器还进一步包括势袋区，其形成在该环形栅极下面的阱区中并积聚电荷，其中，该栅宽在毗邻该光电转换区的部分处比其他部分窄。