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公开(公告)号：CN100349300C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN03154823.7
申请日：2003-08-20
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 大川成实
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/14623 , H04N5/3741
Abstract: 在包括4-Tr-像素的固态图像传感器中，连接到第n行像素单元的传输晶体管的栅极26TG的TG线、和连接到第n+1行像素单元的选择晶体管的栅极28SEL的选择线由公共信号线形成，并且第n行像素的栅极28TG和第n+1行像素单元的栅极28SEL形成在相同导电层的一个连续图形中。由此可以给金属互连层的布局提供裕度。因而，可有效地屏蔽浮置扩散FD使其不受到光照射。此外，给面积提供裕度。因而，浮置扩散FD可具有增加的面积，由此可减少结泄漏。
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公开(公告)号：CN1490879A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN03155356.7
申请日：2003-08-27
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 大川成实
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L27/14689
Abstract: 以矩形设置在半导体衬底上的多个像素。每个像素包括：光电二极管、复位晶体管、源跟随器晶体管，以及选择晶体管。其中设置光电二极管和各晶体管的有源区包括：其中设置光电二极管的第一区，以及在第一方向中具有延伸部分第二区。复位晶体管、源跟随器晶体管以及选择晶体管的每个栅极跨越第二区域的在第一方向中延伸的区域。像素内布线互连复位晶体管的漏区和源跟随器晶体管的栅电极。
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公开(公告)号：CN100428485C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200410104559.5
申请日：2004-12-22
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 大川成实
IPC: H01L27/146 , H01L21/82 , H04N5/335
Abstract: 本发明提供一种固态图像传感器及其制造方法。该固态图像传感器包括：具有彩色像素区域和黑色像素区域的第一导电类型的半导体衬底；在该彩色像素区域中形成的第一导电类型的第一阱；在该黑色像素区域中形成的第一导电类型的第二阱；围绕该第二阱形成的第二导电类型的第三阱；在该彩色像素区域中的第一阱中形成的彩色像素，并且该彩色像素包括第一光电二极管和第一读取晶体管；以及在该黑色像素区域中的第二阱中形成的黑色像素，并且该黑色像素包括第二光电二极管和第二读取晶体管。该第一阱包括第一导电类型的第一埋入式掺杂层。该第二阱包括第一导电类型的第二埋入式掺杂层。利用本发明，能够确保与制造外围电路晶体管的过程相兼容，而实现像素的高灵敏度。
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公开(公告)号：CN101142681A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200580049053.1
申请日：2005-03-11
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H04N5/37457 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14641 , H01L27/14647 , H01L27/14652 , H01L27/14689
Abstract: 提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，该CMOS图像传感器具有有效增大的孔径比和提高的光学感光度。本发明第一方案的图像传感器包括像素区域(10)，其中形成有多个像素，每个像素至少具有光电二极管、复位晶体管和源极跟随器晶体管；以及外围电路区域(12)，其中形成有处理从像素区域读出的读出信号的外围电路。像素区域中的阱区域(PW2)比外围电路区域中的阱区域(PW1)浅。此外，复位晶体管或源极跟随器晶体管形成在像素区域(10)的浅阱区域(PW2)中，而光电二极管区域(PHD2)嵌入在晶体管的阱区域(PW2)下。通过这种结构，像素的光电二极管区域嵌入到相比衬底表面较浅的区域中，从衬底表面入射的光在衰减前被捕获，从而提高了光学感光度。此外，因为像素的光电二极管区域嵌入到有源元件下方的较浅区域中，所以可增大有效孔径比和提高光学感光度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1993832A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200480043633.5
申请日：2004-07-20
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 大川成实
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/1463 , H01L27/14641 , H01L27/14689 , H04N5/37457
Abstract: CMOS摄像元件由排列为矩阵状的多个CMOS光电传感器构成，在列方向相邻的第一CMOS光电传感器和第二CMOS光电传感器形成于在半导体基板上由元件分离区域划分成的、单一的、连续的元件区域中。
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公开(公告)号：CN1701434A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN03825341.0
申请日：2003-04-28
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 大川成实
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14656 , H01L21/7685 , H01L21/76852 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L27/14601 , H01L27/14643 , H01L2221/1078 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件，其特征在于，具有：栓塞层，其嵌入在贯通层间绝缘膜的窗内，通过化学机械研磨而被平坦化；Ti(钛)膜，其层叠成从所述层间绝缘膜上延伸到所述栓塞层上；布线层，其层叠在所述Ti膜上，包含Al(铝)乃至Cu(铜)；以及不透过氢的下衬膜，其形成在所述层间绝缘膜与所述Ti膜之间。
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公开(公告)号：CN100350622C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN03155356.7
申请日：2003-08-27
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 大川成实
IPC: H01L27/146
Abstract: 以矩形设置在半导体衬底上的多个像素。每个像素包括：光电二极管、复位晶体管、源跟随器晶体管，以及选择晶体管。其中设置光电二极管和各晶体管的有源区包括：其中设置光电二极管的第一区，以及在第一方向中具有延伸部分第二区。复位晶体管、源跟随器晶体管以及选择晶体管的每个栅极跨越第二区域的在第一方向中延伸的区域。像素内布线互连复位晶体管的漏区和源跟随器晶体管的栅电极。
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公开(公告)号：CN1992298A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610077708.2
申请日：2006-04-26
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 大川成实
IPC: H01L27/146 , H01L23/52 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14603 , H01L27/14641
Abstract: 本发明涉及一种半导体成像器件，其具有以矩阵状图案设置的多个像素，每个像素包括：光电转换单元，用于将接收到的光转换为信号电荷；信号电压转换单元，用于将所述信号电荷转换为电压；第一晶体管，用于控制所述信号电荷从所述光电转换单元到所述信号电压转换单元的转移；以及信号电压读出单元。在该半导体成像器件的设置中，沿列方向排列的四个PD(PD1至PD4)共享信号电压读出单元，各元件设置为如下顺序：PD/FD1和TG－Tr1、2/PD2/SF－Tr和SL－Tr/PD3/PD2和TG－Tr3、4/PD4/RS－Tr。
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公开(公告)号：CN1835245A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200510120063.1
申请日：2005-11-08
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14683
Abstract: 本发明提供嵌有光电二极管区的图像传感器及其制造方法。在该图像传感器中形成多个像素，所述像素至少具有一光电二极管、一复位晶体管和源极跟随器晶体管，其中，每个像素包括电荷转移栅晶体管，其位于光电二极管与复位晶体管之间，并且构成使复位晶体管与转移栅晶体管连接的节点的浮动扩散区与该源极跟随器晶体管的栅极连接。此外，光电二极管区被嵌入在阱区的下部，在该阱区中形成每个像素的复位晶体管和源极跟随器晶体管。另外，至少在该浮动扩散区的一部分区域的下部不形成该光电二极管区。
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