公开(公告)号：CN1332447C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN03140803.6

申请日：2003-06-03

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野村俊雄 ,  铃木辉夫

IPC: H01L27/08 ,  H01L29/78

Abstract: 一种外部放电(ESD)保护器件包括：形成在衬底上的栅极；在栅极的第一侧边上，在衬底中形成的第一导电类型的第一扩散区；在栅极的第二侧边上，在衬底中形成的第一导电类型的第二扩散区；和形成在第二扩散区下面的衬底中并与第二扩散区接触的第二导电类型的第三扩散区。由此，第三扩散区的杂质浓度设定为大于位于栅极正下方相同深度的衬底的区域的杂质浓度。

公开(公告)号：CN1716595A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200410100756.X

申请日：2004-12-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野村俊雄 ,  桥本贤治 ,  铃木辉夫

IPC: H01L23/60 ,  H01L23/62 ,  H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/823418 ,  H01L27/0266

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，其中：提供了保护晶体管，该保护晶体管保护内部电路中的内部晶体管免受电源接脚之间发生的静电所造成的破损。构成保护晶体管沟道的第一p阱的导电类型对应于构成内部晶体管沟道的第二p阱的导电类型。第一p阱的杂质浓度高于第二p阱的杂质浓度。因此，保护晶体管的漏结比内部晶体管的漏结更尖，并且该保护晶体管的寄生双极工作的启动电压比该内部晶体管中的更低。因此，能够恰当地保护该内部电路免受ESD浪涌。

公开(公告)号：CN1716621A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200410081945.7

申请日：2004-12-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大川成实 ,  浅野正义 ,  野村俊雄

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明提供一种图像传感器，具有多个像素，每个包含光电转换元件和阈值电压随该光电转换元件所产生的电荷而波动的检测晶体管。该图像传感器包括第二导电类型的屏蔽区和第一导电类型的光电转换区；链接到该光电转换区的第一导电类型的阱区；环形栅极；在该环形栅极内部的第二导电类型的源极区；第二导电类型的漏极区。该图像传感器还进一步包括势袋区，其形成在该环形栅极下面的阱区中并积聚电荷，其中，该栅宽在毗邻该光电转换区的部分处比其他部分窄。

公开(公告)号：CN1479374A

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN03140803.6

申请日：2003-06-03

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野村俊雄 ,  铃木辉夫

IPC: H01L23/60 ,  H01L23/62 ,  H01L27/08

Abstract: 一种外部放电(ESD)保护器件包括：形成在衬底上的栅极；在栅极的第一侧边上，在衬底中形成的第一导电类型的第一扩散区；在栅极的第二侧边上，在衬底中形成的第一导电类型的第二扩散区；和形成在第二扩散区下面的衬底中并与第二扩散区接触的第二导电类型的第三扩散区。由此，第三扩散区的杂质浓度设定为大于位于栅极正下方相同深度的衬底的区域的杂质浓度。