公开(公告)号：CN101326632A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200580052286.7

申请日：2005-12-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 浅野正义 ,  铃木嘉之 ,  伊藤哲也 ,  和田一

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L29/66181 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/1087 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/945

Abstract: 在半导体器件的制造方法中，在半导体衬底(11)上形成元件分离用沟槽(14)；在半导体衬底的整个面上，中间隔着绝缘薄膜(12、72)形成具有不能完全填埋所述沟槽的厚度的第一多晶硅膜(15a、35a)；以杂质不穿透衬底表面的能量，向所述第一多晶硅膜的规定部位注入杂质；在所述第一多晶硅膜上形成第二多晶硅膜(15b、35b)，所述第二多晶硅膜(15b、35b)具有确保晶体管的工作所需膜厚的厚度；将所述第一及第二多晶硅膜加工成规定形状，并同时形成沟槽电容器用单元板电极(16、46)和晶体管的栅电极(17、47、49n、49p)。