公开(公告)号：CN104247012B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201380019722.5

申请日：2013-08-21

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 横山岳 ,  落合正晃 ,  丸山笃 ,  关知则 ,  松永慎一郎

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供能够减少键合引线的根数的半导体装置及其制造方法。半导体装置(30)具备两个以上的在第一主面和第二主面具有电极的半导体元件(4)。另外，该半导体装置(30)具备：电极板(6)，一侧的面经由第一接合材料层(10)与半导体元件(4)的第一主面上的电极(41)接合且搭载于两个以上的半导体元件(4)的第一主面上的电极(41)；导电板(1)，具有经由第二接合材料层(11)与半导体元件(4)的第二主面上的电极(42)接合且连接于两个以上的半导体元件(4)的第二主面上的电极(42)的半导体元件接合部(2)以及第一引线端子(3)。并且，用根据需要的粗细和/或根数的键合引线(5)连接电极板(6)的另一侧的面与第二引线端子(3a、3b)。

公开(公告)号：CN113892189B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202080039260.3

申请日：2020-05-26

Applicant: 富士电机株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 俵武志 ,  水岛智教 ,  松永慎一郎 ,  竹中研介 ,  武井学 ,  土田秀一 ,  村田晃一 ,  小山皓洋 ,  中山浩二 ,  染谷满 ,  米泽喜幸 ,  木内祐治

IPC: H10D30/63 ,  H10D30/01 ,  H10D12/00 ,  H10D12/01 ,  H10D18/00 ,  H10D62/10 ,  H10D62/80 ,  H10D8/00 ,  H10D8/50

Abstract: 碳化硅半导体装置(60)具有有源区(51)和配置于上述有源区(51)的外侧的终端结构部(53)。碳化硅半导体装置(60)具备第二导电型的半导体基板(1)、第二导电型的第一半导体层(2)、第一导电型的第二半导体层(4)、第二导电型的第一半导体区(6)、第一导电型的第二半导体区(7)、栅绝缘膜(9)、栅电极(10)、第一电极(11)和第二电极(12)。第二半导体层(4)的位于终端结构部(53)的端部(T)在通电时的电子密度或空穴的密度中的更小的一方的密度为1×1015/cm3以下。

公开(公告)号：CN113892189A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202080039260.3

申请日：2020-05-26

Applicant: 富士电机株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 俵武志 ,  水岛智教 ,  松永慎一郎 ,  竹中研介 ,  武井学 ,  土田秀一 ,  村田晃一 ,  小山皓洋 ,  中山浩二 ,  染谷满 ,  米泽喜幸 ,  木内祐治

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/74 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 碳化硅半导体装置(60)具有有源区(51)和配置于上述有源区(51)的外侧的终端结构部(52)。碳化硅半导体装置(60)具备第二导电型的半导体基板(1)、第二导电型的第一半导体层(2)、第一导电型的第二半导体层(4)、第二导电型的第一半导体区(6)、第一导电型的第二半导体区(7)、栅绝缘膜(9)、栅电极(10)、第一电极(11)和第二电极(12)。第二半导体层(4)的位于终端结构部(52)的端部(T)在通电时的电子密度或空穴的密度中的更小的一方的密度为1×1015/cm3以下。

公开(公告)号：CN116779639A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310136110.X

申请日：2023-01-30

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 松永慎一郎

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种碳化硅半导体装置，通过将空穴在沟槽的侧壁界面开始蓄积的栅极电压变更为高负电压，从而能够使用更高的负栅极电压，并能够防止开关时的误动作。碳化硅半导体装置(50)具备第一导电型的碳化硅半导体基板(1)、第一导电型的第一半导体层(2)、第二导电型的第二半导体层(6)、第一导电型的第一半导体区、沟槽(16)、隔着栅极绝缘膜(9)设置的栅极电极(10)、覆盖沟槽(16)的底面的第二导电型的第二半导体区(3)、在相邻的沟槽16之间的第二导电型的第三半导体区(4)、第一电极(12)和第二电极(13)。第三半导体区(4)在未设置第一半导体区的有源区端部与沟槽(16)的侧壁分离而配置，并与第二半导体区(3)连接。

公开(公告)号：CN104247012A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380019722.5

申请日：2013-08-21

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 横山岳 ,  落合正晃 ,  丸山笃 ,  关知则 ,  松永慎一郎

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供能够减少键合引线的根数的半导体装置及其制造方法。半导体装置(30)具备两个以上的在第一主面和第二主面具有电极的半导体元件(4)。另外，该半导体装置(30)具备：电极板(6)，一侧的面经由第一接合材料层(10)与半导体元件(4)的第一主面上的电极(41)接合且搭载于两个以上的半导体元件(4)的第一主面上的电极(41)；导电板(1)，具有经由第二接合材料层(11)与半导体元件(4)的第二主面上的电极(42)接合且连接于两个以上的半导体元件(4)的第二主面上的电极(42)的半导体元件接合部(2)以及第一引线端子(3)。并且，用根据需要的粗细和/或根数的键合引线(5)连接电极板(6)的另一侧的面与第二引线端子(3a、3b)。