一种膜片式光纤激光耦合器及其使用方法

    公开(公告)号:CN118363115B

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410797053.4

    申请日:2024-06-20

    Abstract: 本发明涉及耦合器技术领域,且公开了一种膜片式光纤激光耦合器及其使用方法,包括主体和两个接口架,两个接口架分别固定连接在主体正面和背面,接口架左侧和右侧均开设有条形滑孔,主体左侧和右侧靠近接口架的两端均固定连接有固定槽,还包括接头机构,接头机构包括有插块。本发明在插块进入到接口架内部后,拨动折叠卡架可以直接对连接块进行卡紧固定,通过弹性圈和防护清理板对插块的推力,使弹簧转动卡架卡紧在固定槽内部,避免在对插接在耦合器两端的连接头于耦合器固定时因为晃动导致插在接口架内部插块发生松弛的现象,更避免因为耦合器两端的连接口较浅,在对连接处固定过程中通过晃动导致插块与接口架脱落的现象。

    一种膜片式光纤激光耦合器及其使用方法

    公开(公告)号:CN118363115A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410797053.4

    申请日:2024-06-20

    Abstract: 本发明涉及耦合器技术领域,且公开了一种膜片式光纤激光耦合器及其使用方法,包括主体和两个接口架,两个接口架分别固定连接在主体正面和背面,接口架左侧和右侧均开设有条形滑孔,主体左侧和右侧靠近接口架的两端均固定连接有固定槽,还包括接头机构,接头机构包括有插块。本发明在插块进入到接口架内部后,拨动折叠卡架可以直接对连接块进行卡紧固定,通过弹性圈和防护清理板对插块的推力,使弹簧转动卡架卡紧在固定槽内部,避免在对插接在耦合器两端的连接头于耦合器固定时因为晃动导致插在接口架内部插块发生松弛的现象,更避免因为耦合器两端的连接口较浅,在对连接处固定过程中通过晃动导致插块与接口架脱落的现象。

    一种晶圆减薄用托盘及晶圆减薄方法

    公开(公告)号:CN118116861A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202410102727.4

    申请日:2024-01-24

    Abstract: 本发明提供一种晶圆减薄用托盘及晶圆减薄方法,属于晶圆减薄技术领域,晶圆减薄用托盘包括盘体,呈圆片状,具有相背设置的第一面和第二面,所述第一面用于粘接待处理晶圆,所述第一面上设置有进液槽,所述进液槽与所述盘体的边缘连通。晶圆减薄方法包括以下步骤:步骤一,将晶圆粘附于托盘的第一面上;步骤二,将托盘放置于减薄设备中,对晶圆进行减薄处理;步骤三,使用下蜡工艺将晶圆与托盘分离。本发明提供的晶圆减薄用托盘,进液槽的设置使得晶圆下片时,去蜡液可以通过进液槽快速向晶圆面内扩散,溶解速度快,使得晶圆和托盘更容易分离,下片工序在3min左右便可完成,节省了大量时间。

    基于片上集成谐振腔的磁传感装置及测量方法

    公开(公告)号:CN115792750B

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202310088773.9

    申请日:2023-02-09

    Abstract: 本发明涉及谐振式磁传感器,具体是一种基于片上集成谐振腔的磁传感装置及测量方法。本发明解决了现有谐振式磁传感器灵敏度较低的问题。基于片上集成谐振腔的磁传感装置,包括信号发生器、1550nm激光器、偏振控制器、光纤偏振分束器、单模光纤A、磁传感单元、单模光纤B、光电探测器、频谱仪、微波发生器;所述磁传感单元包括玻璃基片、氮化硅波导耦合芯片、集成耦合波导、钇铁石榴石盘形微腔、集成微波天线、紫外胶水层A、紫外胶水层B、紫外胶水层C;信号发生器的信号输出端与1550nm激光器的电压调谐端连接;1550nm激光器的出射端通过偏振控制器与光纤偏振分束器的入射端连接。本发明适用于磁场的测量。

    基于片上集成谐振腔的磁传感装置及测量方法

    公开(公告)号:CN115792750A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202310088773.9

    申请日:2023-02-09

    Abstract: 本发明涉及谐振式磁传感器,具体是一种基于片上集成谐振腔的磁传感装置及测量方法。本发明解决了现有谐振式磁传感器灵敏度较低的问题。基于片上集成谐振腔的磁传感装置,包括信号发生器、1550nm激光器、偏振控制器、光纤偏振分束器、单模光纤A、磁传感单元、单模光纤B、光电探测器、频谱仪、微波发生器;所述磁传感单元包括玻璃基片、氮化硅波导耦合芯片、集成耦合波导、钇铁石榴石盘形微腔、集成微波天线、紫外胶水层A、紫外胶水层B、紫外胶水层C;信号发生器的信号输出端与1550nm激光器的电压调谐端连接;1550nm激光器的出射端通过偏振控制器与光纤偏振分束器的入射端连接。本发明适用于磁场的测量。

    一种激光器芯片自动测试设备及其测试方法

    公开(公告)号:CN118387530A

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN202410814976.6

    申请日:2024-06-24

    Abstract: 本发明涉及芯片测试技术领域,且公开了一种激光器芯片自动测试设备及其测试方法,包括传输机构,所述传输机构还包括有设备底座,本发明利用设备在进行传输时,激光芯片的水平位置将发生变化,以及激光芯片侧面存在输出端的特点,在使用前,将所选加工的激光芯片放置在旋转盘的顶部,并接通动力马达的电源,动力马达通过转动轮带动传输皮带开始传输工序,其中摩擦板的位置高于传输皮带的横向中轴线,在设备开始旋转时,处于上方的驱动盘将与摩擦板的侧面接触,处于下方的驱动盘不与摩擦板的侧面接触,驱动盘因为摩擦板的限制,将沿着摩擦板的外壁进行转动,而该转动的力通过转动柱传输至旋转盘,使放置在旋转盘顶部的激光芯片同步旋转。

    一种剥离方法
    10.
    发明公开
    一种剥离方法 审中-实审

    公开(公告)号:CN115411606A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202211025740.1

    申请日:2022-08-25

    Abstract: 本发明公开一种剥离方法,包括步骤如下:提供初始器件,所述初始器件包括第一区和与第一区邻接的第二区;在所述初始器件上形成图形化的第一光刻胶层,所述第一光刻胶层位于第一区上且暴露出第二区;在所述第一光刻胶层的表面和初始器件的第二区上形成导电层;在第二区上的导电层上形成第二光刻胶层,且所述第二光刻胶层暴露出第一区上的导电层;以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层;以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层之后,去除所述第二光刻胶层和第一光刻胶层。剥离方法能同时提高剥离效率和良率。

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