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公开(公告)号:CN117277058A
公开(公告)日:2023-12-22
申请号:CN202210673136.3
申请日:2022-06-14
Applicant: 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器及其制备方法,半导体激光器的制备方法包括:形成半导体结构,半导体结构包括衬底、位于衬底的一侧表面的外延层、位于外延层背离衬底的一侧表面的平行且间隔排布的若干脊波导、至少覆盖脊波导侧壁的绝缘层、以及至少覆盖绝缘层的第一电极层;相邻脊波导之间形成解理区,绝缘层和第一电极层均延伸至解理区;去除位于解理区的第一电极层和绝缘层;沿着解理区对半导体结构进行第一解理得到若干巴条。通过在第一解理之前去除了位于解理区中的第一电极层和绝缘层,保证了巴条具有平整的第一解理面和第二解理面,从而保证了谐振腔的前后腔面相互平行,最终保证半导体激光器的发光性能。
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公开(公告)号:CN117124252A
公开(公告)日:2023-11-28
申请号:CN202210554108.X
申请日:2022-05-19
Applicant: 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)
Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域,具体涉及一种翻转装置。本发明的翻转装置包括基座,所述基座包括底板及设置在所述底板上的至少两个第一支撑件,所述底板上设有适于放置待翻转件的放置区;翻转结构,包括基板及设置在所述基板上的至少两个第二支撑件,所述第二支撑件适于支撑在所述第一支撑件上,每个所述第二支撑件均匹配一个所述第一支撑件;所述基板上设有翻转面,位于至少两个所述第二支撑件之间,所述翻转面具有朝向所述放置区的第一状态,及背向所述放置区的第二状态;吸取结构,包括吸头,所述吸头设置在所述翻转面上,适于吸取所述待翻转件。本发明提供的翻转装置吸取动作和缓,不易压碎外延片,且结构简单、成本低且易移动。
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公开(公告)号:CN115411606A
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN202211025740.1
申请日:2022-08-25
Applicant: 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)
IPC: H01S5/00
Abstract: 本发明公开一种剥离方法,包括步骤如下:提供初始器件,所述初始器件包括第一区和与第一区邻接的第二区;在所述初始器件上形成图形化的第一光刻胶层,所述第一光刻胶层位于第一区上且暴露出第二区;在所述第一光刻胶层的表面和初始器件的第二区上形成导电层;在第二区上的导电层上形成第二光刻胶层,且所述第二光刻胶层暴露出第一区上的导电层;以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层;以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层之后,去除所述第二光刻胶层和第一光刻胶层。剥离方法能同时提高剥离效率和良率。
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