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公开(公告)号：CN118577504A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411066906.3
申请日：2024-08-06
Applicant: 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)
Abstract: 本发明涉及半导体激光器测试技术领域，且公开了一种半导体激光器的测试筛选设备及使用方法，包括主体和两组间距调节滑槽，两组间距调节滑槽分别开设在主体顶部，主体底部开设有两个限位调节滑槽，还包括传动机构，传动机构设置在主体底部，传动机构包括有支撑架。本发明通过滑架与滑动条孔的连接，带动滑杆在分选传输组件的内部滑动使两组限位条之间的距离逐渐变大，直到两组限位条的间距与尺寸较大的半导体激光器的宽度对应，避免因为不同型号的半导体激光器的尺寸各不相同而导致该装置难以对其他型号的半导体激光器进行传输限位，减少半导体激光器在传输过程中掉落到边缘的现象出现，从而提高了半导体激光器测试的效率。
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公开(公告)号：CN114315158B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202111601885.7
申请日：2021-12-24
Applicant: 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院) , 晋城鸿智纳米光机电研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种陶瓷玻璃，该陶瓷玻璃包含单一晶相的等轴二硅酸锂晶体，二硅酸锂晶体的结晶度大于或等于85％，平均晶体尺寸为6～35nm，陶瓷玻璃是通过将基础玻璃进行热处理结晶得到，以摩尔百分比计算，基础玻璃包括下列组分：SiO2：68～73％；Li2O：18～22％；ZrO2：0.2～5％；P2O5：0.1～0.9％，其中，SiO2和Li2O的摩尔比为3～4。本申请还公开了采用上述陶瓷玻璃制备的强化陶瓷玻璃制品和制备该强化陶瓷玻璃制品的方法。本申请通过调整配方制备出一种具有单一晶相且等轴的纳米级二硅酸锂晶相的陶瓷玻璃，有效改善陶瓷玻璃的离子交换性和热压成型加工性。
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公开(公告)号：CN116609380A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310388858.9
申请日：2023-04-12
Applicant: 晋城鸿智纳米光机电研究院有限公司 , 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明提供一种确定玻璃陶瓷核化时间的方法，包括：测试前体玻璃的差热分析DSC曲线，获得玻璃转变点Tg和析晶峰位置Pc；选定一个核化温度Tn和一个晶化温度Tc，Tn范围为Tg～Tg+150℃，Tc范围为Pc‑60℃～Pc+60℃；将前体玻璃在Tc热处理不同时间并分别测试DSC，将DSC曲线上的析晶峰完全消失时对应的时间设定为晶化时间tc；制备玻璃陶瓷，制备时先将前体玻璃先加热到Tn并保温，然后继续加热到Tc并保温tc时间；测试经过步骤4获得的玻璃陶瓷的差热分析DSC曲线，并计算DSC曲线上对应的吸热峰的积分面积；逐步延长核化时间，重复步骤4‑5，当DSC曲线吸热峰积分面积变化小于预设值时，其所对应的核化时间为最佳核化时间tn。本发明可以快速准确地确定达到核化极限所需要的最短时间。
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公开(公告)号：CN114855018B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202210470969.X
申请日：2022-04-28
Applicant: 晋城鸿智纳米光机电研究院有限公司 , 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)
Abstract: 本申请提供一种纳米硬质合金的制备方法，包括如下步骤：提供球磨机，向所述球磨机中加入粉末状的碳化钨、粉末状的钴、成核抑制剂、无水乙醇、分散剂以及石蜡，分散剂溶于无水乙醇后加入球磨机中，分散剂包括脂肪醇聚氧乙烯醚、聚甘油‑6月桂酸脂以及硬脂酸，持续球磨获得第一纳米硬质合金混料；对第一纳米硬质合金混料进行干燥以去除无水乙醇，获得第二纳米硬质合金混料；将第二纳米硬质合金混料置于一模具中，对第二纳米硬质合金混料进行脱蜡以去除石蜡及分散剂，随后进行烧结获得纳米硬质合金。
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公开(公告)号：CN114315158A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111601885.7
申请日：2021-12-24
Applicant: 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院) , 晋城鸿智纳米光机电研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种陶瓷玻璃，该陶瓷玻璃包含单一晶相的等轴二硅酸锂晶体，二硅酸锂晶体的结晶度大于或等于85％，平均晶体尺寸为6～35nm，陶瓷玻璃是通过将基础玻璃进行热处理结晶得到，以摩尔百分比计算，基础玻璃包括下列组分：SiO2：68～73％；Li2O：18～22％；ZrO2：0.2～5％；P2O5：0.1～0.9％，其中，SiO2和Li2O的摩尔比为3～4。本申请还公开了采用上述陶瓷玻璃制备的强化陶瓷玻璃制品和制备该强化陶瓷玻璃制品的方法。本申请通过调整配方制备出一种具有单一晶相且等轴的纳米级二硅酸锂晶相的陶瓷玻璃，有效改善陶瓷玻璃的离子交换性和热压成型加工性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118363115B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410797053.4
申请日：2024-06-20
Applicant: 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)
IPC: G02B6/38
Abstract: 本发明涉及耦合器技术领域，且公开了一种膜片式光纤激光耦合器及其使用方法，包括主体和两个接口架，两个接口架分别固定连接在主体正面和背面，接口架左侧和右侧均开设有条形滑孔，主体左侧和右侧靠近接口架的两端均固定连接有固定槽，还包括接头机构，接头机构包括有插块。本发明在插块进入到接口架内部后，拨动折叠卡架可以直接对连接块进行卡紧固定，通过弹性圈和防护清理板对插块的推力，使弹簧转动卡架卡紧在固定槽内部，避免在对插接在耦合器两端的连接头于耦合器固定时因为晃动导致插在接口架内部插块发生松弛的现象，更避免因为耦合器两端的连接口较浅，在对连接处固定过程中通过晃动导致插块与接口架脱落的现象。
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公开(公告)号：CN118363115A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410797053.4
申请日：2024-06-20
Applicant: 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)
IPC: G02B6/38
Abstract: 本发明涉及耦合器技术领域，且公开了一种膜片式光纤激光耦合器及其使用方法，包括主体和两个接口架，两个接口架分别固定连接在主体正面和背面，接口架左侧和右侧均开设有条形滑孔，主体左侧和右侧靠近接口架的两端均固定连接有固定槽，还包括接头机构，接头机构包括有插块。本发明在插块进入到接口架内部后，拨动折叠卡架可以直接对连接块进行卡紧固定，通过弹性圈和防护清理板对插块的推力，使弹簧转动卡架卡紧在固定槽内部，避免在对插接在耦合器两端的连接头于耦合器固定时因为晃动导致插在接口架内部插块发生松弛的现象，更避免因为耦合器两端的连接口较浅，在对连接处固定过程中通过晃动导致插块与接口架脱落的现象。
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公开(公告)号：CN117996456A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410347314.2
申请日：2024-03-26
Applicant: 桂林电子科技大学 , 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯超表面结构及多频开关应用，属于可调谐超材料应用技术领域，超表面结构由从顶部至下依次包括顶层衬底、石墨烯曾单元结构、底层衬底；本发明适用于等离子体诱导透明技术领域，在传感器、多频开关和慢光器件方向有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN114230183B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202111599431.0
申请日：2021-12-24
Applicant: 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院) , 晋城鸿智纳米光机电研究院有限公司
Abstract: 本发明公开一种陶瓷玻璃，陶瓷玻璃的二次析晶温度与软化温度之差≥150℃，陶瓷玻璃通过基础玻璃经热处理得到，该陶瓷玻璃包含单一的尖晶石晶体，结晶度为12％～50％，平均晶体尺寸为6～30nm，以摩尔百分比计算，基础玻璃包括：58％～68％的SiO2；16％～26％的Al2O3；3％～12％的ZnO+MgO；3％～8％的TiO2+ZrO2；其中，Al2O3与ZnO+MgO总含量的摩尔比为2.2～3.3；SiO2与Al2O3+ZnO+MgO总含量的摩尔比为2.1～3.9。本申请还公开了曲面陶瓷玻璃及其制备方法。本申请的陶瓷玻璃在热压成型后具有较高的透过率。
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公开(公告)号：CN117277058A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210673136.3
申请日：2022-06-14
Applicant: 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器及其制备方法，半导体激光器的制备方法包括：形成半导体结构，半导体结构包括衬底、位于衬底的一侧表面的外延层、位于外延层背离衬底的一侧表面的平行且间隔排布的若干脊波导、至少覆盖脊波导侧壁的绝缘层、以及至少覆盖绝缘层的第一电极层；相邻脊波导之间形成解理区，绝缘层和第一电极层均延伸至解理区；去除位于解理区的第一电极层和绝缘层；沿着解理区对半导体结构进行第一解理得到若干巴条。通过在第一解理之前去除了位于解理区中的第一电极层和绝缘层，保证了巴条具有平整的第一解理面和第二解理面，从而保证了谐振腔的前后腔面相互平行，最终保证半导体激光器的发光性能。
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