公开(公告)号：CN117124252A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202210554108.X

申请日：2022-05-19

Applicant: 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)

Inventor： 王伟远 ,  成磊 ,  陈宇星 ,  梅石磊 ,  刘浩伟

IPC: B25B11/00 ,  B25J15/06

Abstract: 本发明涉及半导体激光器技术领域，具体涉及一种翻转装置。本发明的翻转装置包括基座，所述基座包括底板及设置在所述底板上的至少两个第一支撑件，所述底板上设有适于放置待翻转件的放置区；翻转结构，包括基板及设置在所述基板上的至少两个第二支撑件，所述第二支撑件适于支撑在所述第一支撑件上，每个所述第二支撑件均匹配一个所述第一支撑件；所述基板上设有翻转面，位于至少两个所述第二支撑件之间，所述翻转面具有朝向所述放置区的第一状态，及背向所述放置区的第二状态；吸取结构，包括吸头，所述吸头设置在所述翻转面上，适于吸取所述待翻转件。本发明提供的翻转装置吸取动作和缓，不易压碎外延片，且结构简单、成本低且易移动。

公开(公告)号：CN115411606A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202211025740.1

申请日：2022-08-25

Applicant: 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)

Inventor： 王伟远 ,  李利 ,  成磊 ,  梅石磊 ,  陈宇星 ,  刘浩伟

IPC: H01S5/00

Abstract: 本发明公开一种剥离方法，包括步骤如下：提供初始器件，所述初始器件包括第一区和与第一区邻接的第二区；在所述初始器件上形成图形化的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层位于第一区上且暴露出第二区；在所述第一光刻胶层的表面和初始器件的第二区上形成导电层；在第二区上的导电层上形成第二光刻胶层，且所述第二光刻胶层暴露出第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层之后，去除所述第二光刻胶层和第一光刻胶层。剥离方法能同时提高剥离效率和良率。

公开(公告)号：CN118116861A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202410102727.4

申请日：2024-01-24

Applicant: 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)

Inventor： 陈宇星 ,  张马俊 ,  李利 ,  齐东东

IPC: H01L21/687 ,  B24B41/06 ,  B24B1/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种晶圆减薄用托盘及晶圆减薄方法，属于晶圆减薄技术领域，晶圆减薄用托盘包括盘体，呈圆片状，具有相背设置的第一面和第二面，所述第一面用于粘接待处理晶圆，所述第一面上设置有进液槽，所述进液槽与所述盘体的边缘连通。晶圆减薄方法包括以下步骤：步骤一，将晶圆粘附于托盘的第一面上；步骤二，将托盘放置于减薄设备中，对晶圆进行减薄处理；步骤三，使用下蜡工艺将晶圆与托盘分离。本发明提供的晶圆减薄用托盘，进液槽的设置使得晶圆下片时，去蜡液可以通过进液槽快速向晶圆面内扩散，溶解速度快，使得晶圆和托盘更容易分离，下片工序在3min左右便可完成，节省了大量时间。

公开(公告)号：CN117277058A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202210673136.3

申请日：2022-06-14

Applicant: 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)

Inventor： 陈宇星 ,  成磊 ,  王伟远 ,  梅石磊 ,  刘浩伟

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/22

Abstract: 本发明提供一种半导体激光器及其制备方法，半导体激光器的制备方法包括：形成半导体结构，半导体结构包括衬底、位于衬底的一侧表面的外延层、位于外延层背离衬底的一侧表面的平行且间隔排布的若干脊波导、至少覆盖脊波导侧壁的绝缘层、以及至少覆盖绝缘层的第一电极层；相邻脊波导之间形成解理区，绝缘层和第一电极层均延伸至解理区；去除位于解理区的第一电极层和绝缘层；沿着解理区对半导体结构进行第一解理得到若干巴条。通过在第一解理之前去除了位于解理区中的第一电极层和绝缘层，保证了巴条具有平整的第一解理面和第二解理面，从而保证了谐振腔的前后腔面相互平行，最终保证半导体激光器的发光性能。

公开(公告)号：CN116334547A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202111608422.3

申请日：2021-12-24

Applicant: 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)

Inventor： 王伟远 ,  成磊 ,  崔鹏鹏 ,  陈宇星 ,  梅石磊

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/02 ,  C23C14/06 ,  H01S5/028

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器的制备方法，包括：提供初始半导体激光器，所述初始半导体激光器具有前腔面；对所述前腔面进行氩等离子体处理；进行所述氩等离子体处理之后，对所述前腔面进行氮等离子处理；进行所述氮等离子处理之后，采用溅射工艺在所述前腔面形成氮化硼膜。所述半导体激光器的制备方法有效的抑制半导体激光器的光学灾变损伤、提高工艺效率，降低工艺操作难度和降低。

公开(公告)号：CN216525422U

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202123235034.3

申请日：2021-12-21

Applicant: 晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)

Inventor： 王伟远 ,  成磊 ,  崔鹏鹏 ,  陈宇星 ,  梅石磊

IPC: G01N21/01

Abstract: 本实用新型提供一种气体检测装置及气体检测系统，气体检测装置包括：壳体，壳体内设置有气池，适于收集待测气体；光程机构，设置在所述壳体内，所述光程机构包括反射镜，所述反射镜适于提高所述气池内的光程；光电检测机构，设置在所述壳体上，所述光电检测机构与光距机构相配合。通过在壳体内设置气池，并同时设置光程机构和光电检测机构，光程机构包括反射镜，从而通过反射镜增加光程的同时，又并未增加检测装置的体积，使得检测装置可以便携携带，进一步的减少了人力的浪费。