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公开(公告)号：CN118039690B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410430808.7
申请日：2024-04-11
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , G01R31/26 , G01R19/00
Abstract: 本发明提供半导体结构、制备方法和栅极异质结上分压标定测算方法，在同一异质结上制备了物理化学性能稳定的肖特基型p‑GaN HEMTs器件和欧姆型p‑GaN HEMTs器件，实现了集成化设计，提高了后续性能测试以及标定测算的可操作性和效率。在具体测试过程中，测试两种器件的正向栅极电压电流（I‑V）特性，基于欧姆型p‑GaN HEMTs栅极的单PIN结I‑V特性，得出等量栅极电流下肖特基型p‑GaN HEMTs栅极异质结中PIN结的电压，随后根据双结串联分压特性得到MS结电压，实现对于p‑GaN HEMTs器件栅极异质结内部双结分压的标定计算。
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公开(公告)号：CN118016666A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410139179.2
申请日：2024-01-31
IPC: H01L27/088 , H01L27/07 , H01L29/16 , H01L29/20
Abstract: 本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，涉及一种宽禁带半导体集成功率模块。本发明公开的一种宽禁带半导体集成功率模块包括：金刚石功率器件、氮化镓功率器件，所述金刚石功率器件与氮化镓功率器件以键合方式集成至同一基底上形成互补逻辑集成，本发明可以有效解决GaN基等传统互补逻辑集成方案中P沟道与N沟道晶体管存在的迁移率不匹配问题，提升功率模块整体性能。
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公开(公告)号：CN116800102A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310825324.8
申请日：2023-07-06
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提出了一种基于扩展谐波阻抗模型的LLC变换器控制装置及方法。所提出的同步整流方法需要在数字信号处理器(DSP)中对输出直流电压和电流的采样信号进行计算，通过考虑谐波，在频域建立阻抗模型，准确计算出同步整流导通时间。同步整流管的开通时刻与原边开关管器件一致，而同步整流管的关断时刻等于开通时刻加上计算出的同步整流导通时间。该方法不仅使同步整流体二极管的导通时间最小化，计算精度高，而且对高开关频率噪声具有很高的抗扰性，所提方法大幅提高了LLC变换器的效率。
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公开(公告)号：CN116165504A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310186120.4
申请日：2023-03-01
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓晶体管阈值电压漂移检测及修正方法。通过对氮化镓晶体管进行脉冲测试，模拟其在电路中动态开关的工作情况，根据脉冲测试得到的动态转移曲线，标定出氮化镓晶体管阈值电压随着驱动电压应力值、应力时间等条件的漂移情况；定量分析出阈值电压漂移导致的动态电阻、栅极电荷等关键物理量的变化；在驱动端动态调整栅极驱动电压，修正氮化镓晶体管导通电阻、栅极电荷等物理量因阈值漂移导致的退化，提升氮化镓晶体管导通电阻稳定性。该发明方法可以有效抑制氮化镓晶体管性能在动态开关过程中的阈值电压漂移，提升氮化镓晶体管在高速开关工作中的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN120035171A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510510664.0
申请日：2025-04-23
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种混合栅极高电子迁移率晶体管、制备方法与其测试方法。所述晶体管可配置为耗尽模式或增强模式，栅极结构由不同比例的p‑GaN半导体层组成。制备过程中采用电感耦合等离子体反应离子蚀刻技术，保护栅极结构并减少缺陷。器件工作时，通过向栅极施加驱动电压，在源极和漏极偏压下调控p‑GaN/AlGaN/GaN异质结内建电场，耗尽栅极下方的二维电子气，且耗尽程度随p‑GaN比例变化。施加正偏压可恢复二维电子气。整个制备工艺严格遵循标准氮化镓技术流程，无需额外修改。该设计可有效降低栅极漏电，提供稳定且可调的阈值电压，并通过调节p‑GaN比例实现器件常开与常关状态的灵活调控。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119133253B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411620932.6
申请日：2024-11-14
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供一种具有多层栅极控制区的MOSFET结构及制备方法，包括：衬底，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面覆盖有掺杂漂移层，所述掺杂漂移层表面设有栅极区及两个源极区，所述栅极区置于所述源极区之间；所述栅极区包括栅极控制区，所述栅极控制区包括依次层叠且浓度不同的第一栅极控制层、第二栅极控制层、第三栅极控制层、第四栅极控制层及第五栅极控制层，所述第一栅极控制层覆盖所述掺杂漂移层。通过设置栅极控制区，能够在器件导通时，使P‑shield层处于浮空状态，有助于改善载流子的注入和分布情况，一定程度上降低横向JFET电阻，减少存储的电荷量，进而使得器件导通电阻降低改善栅氧层的可靠性，器件耐击穿能力提升。
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公开(公告)号：CN119224520A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411718781.8
申请日：2024-11-28
Applicant: 安徽大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及晶体管测试领域，特别是涉及一种功率器件阈值电压漂移测量方法及系统。本发明的功率器件阈值电压漂移测量方法，对功率器件连续施加若干个设定脉冲周期的特定脉冲信号，特定脉冲信号的脉冲波形包括栅应力阶段和测量阶段，栅应力阶段为对功率器件的栅极施加恒定栅应力，测量阶段为对功率器件的栅极施加栅极脉冲信号、对功率器件的漏极施加漏极脉冲信号；获得测量阶段的漏极电流‑栅极电压转移特性曲线；根据初始转移特性曲线提取初始电压；将阈值电压和初始电压值的差值作为阈值电压漂移值。本发明能够在保证快速测量的同时也兼具快速切换所带来的精准测量，很好地规避自发热效应给功率器件带来的影响。
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公开(公告)号：CN119133253A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411620932.6
申请日：2024-11-14
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种具有多层栅极控制区的MOSFET结构及制备方法，包括：衬底，所述衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面覆盖有掺杂漂移层，所述掺杂漂移层表面设有栅极区及两个源极区，所述栅极区置于所述源极区之间；所述栅极区包括栅极控制区，所述栅极控制区包括依次层叠且浓度不同的第一栅极控制层、第二栅极控制层、第三栅极控制层、第四栅极控制层及第五栅极控制层，所述第一栅极控制层覆盖所述掺杂漂移层。通过设置栅极控制区，能够在器件导通时，使P‑shield层处于浮空状态，有助于改善载流子的注入和分布情况，一定程度上降低横向JFET电阻，减少存储的电荷量，进而使得器件导通电阻降低改善栅氧层的可靠性，器件耐击穿能力提升。
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公开(公告)号：CN119133220A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411586220.7
申请日：2024-11-08
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L29/423 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种GaN晶体管结构及其制备方法，其中，GaN晶体管内的栅极呈闭合框架结构，且栅极包围源极，能够彻底隔离漏极与源极，优化栅极与沟道之间的电场分布，显著提升晶体管的正向偏置栅极电压，并有效扼制了漏电通道的形成，大幅降低了漏电流，增强了器件在电路中的稳定性和可靠性。此外，采用上述结构的栅极还能优化栅极周围的电场分布，减少了高能电子的产生和传播路径，能够显著增强栅极在高温条件下的鲁棒性，从而有效地抑制了冲击电离效应对栅极的损害。
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公开(公告)号：CN118727135A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410752255.7
申请日：2024-06-12
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明揭示了一种超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，所述超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法具体包括如下：在安装有靶材的腔体内充入气体，并将腔体内的气压调节至目标气压；将衬底加热升温至目标温度，并保持目标温度和目标气压；以及对靶材进行处理，并与衬底产生反应，获得超宽带隙六方氮化硼薄膜。本发明能够实现对薄膜成分、结构和性能的精确控制，还能够实现在大尺寸衬底上生长高质量的超宽带隙六方氮化硼薄膜。
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