公开(公告)号：CN114544022A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210173757.5

申请日：2022-02-24

Applicant: 安徽大学

Inventor： 唐曦 ,  胡存刚 ,  尹玉莲 ,  汪欢

IPC: G01K7/16 ,  H01L27/07

Abstract: 本发明提供一种基于氮化物半导体异质结的载片低功耗温度传感器，其包括整流器件和阻性器件，所述整流器件和阻性器件制备于同片氮化物半导体异质结上。整流器件和阻性器件电学相串联。在电学偏压下，整流器件和阻性器件的电学性质随温度变化而改变：整流器件开启后的电阻随着温度升高而减小，阻性器件电阻随着温度升高而增加。本发明的温度传感器的制备工艺与氮化物半导体异质结电子器件工艺相兼容，无需额外设计新的制备工艺以及材料，即可实现在同一块异质结芯片上的温度探测以及信号放大功能，达到精准、实时、低功耗芯片测温以及节省制备成本的目的。

公开(公告)号：CN118039690A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202410430808.7

申请日：2024-04-11

Applicant: 安徽大学

Inventor： 唐曦 ,  尹玉莲 ,  刘晓宇 ,  汪欢 ,  曹文平 ,  胡存刚

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  G01R31/26 ,  G01R19/00

Abstract: 本发明提供半导体结构、制备方法和栅极异质结上分压标定测算方法，在同一异质结上制备了物理化学性能稳定的肖特基型p‑GaN HEMTs器件和欧姆型p‑GaN HEMTs器件，实现了集成化设计，提高了后续性能测试以及标定测算的可操作性和效率。在具体测试过程中，测试两种器件的正向栅极电压电流（I‑V）特性，基于欧姆型p‑GaN HEMTs栅极的单PIN结I‑V特性，得出等量栅极电流下肖特基型p‑GaN HEMTs栅极异质结中PIN结的电压，随后根据双结串联分压特性得到MS结电压，实现对于p‑GaN HEMTs器件栅极异质结内部双结分压的标定计算。

公开(公告)号：CN118039690B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410430808.7

申请日：2024-04-11

Applicant: 安徽大学

Inventor： 唐曦 ,  尹玉莲 ,  刘晓宇 ,  汪欢 ,  曹文平 ,  胡存刚

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  G01R31/26 ,  G01R19/00

Abstract: 本发明提供半导体结构、制备方法和栅极异质结上分压标定测算方法，在同一异质结上制备了物理化学性能稳定的肖特基型p‑GaN HEMTs器件和欧姆型p‑GaN HEMTs器件，实现了集成化设计，提高了后续性能测试以及标定测算的可操作性和效率。在具体测试过程中，测试两种器件的正向栅极电压电流（I‑V）特性，基于欧姆型p‑GaN HEMTs栅极的单PIN结I‑V特性，得出等量栅极电流下肖特基型p‑GaN HEMTs栅极异质结中PIN结的电压，随后根据双结串联分压特性得到MS结电压，实现对于p‑GaN HEMTs器件栅极异质结内部双结分压的标定计算。