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公开(公告)号：CN120035171A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510510664.0
申请日：2025-04-23
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种混合栅极高电子迁移率晶体管、制备方法与其测试方法。所述晶体管可配置为耗尽模式或增强模式，栅极结构由不同比例的p‑GaN半导体层组成。制备过程中采用电感耦合等离子体反应离子蚀刻技术，保护栅极结构并减少缺陷。器件工作时，通过向栅极施加驱动电压，在源极和漏极偏压下调控p‑GaN/AlGaN/GaN异质结内建电场，耗尽栅极下方的二维电子气，且耗尽程度随p‑GaN比例变化。施加正偏压可恢复二维电子气。整个制备工艺严格遵循标准氮化镓技术流程，无需额外修改。该设计可有效降低栅极漏电，提供稳定且可调的阈值电压，并通过调节p‑GaN比例实现器件常开与常关状态的灵活调控。
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