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公开(公告)号：CN119133220A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411586220.7
申请日：2024-11-08
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L29/423 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种GaN晶体管结构及其制备方法，其中，GaN晶体管内的栅极呈闭合框架结构，且栅极包围源极，能够彻底隔离漏极与源极，优化栅极与沟道之间的电场分布，显著提升晶体管的正向偏置栅极电压，并有效扼制了漏电通道的形成，大幅降低了漏电流，增强了器件在电路中的稳定性和可靠性。此外，采用上述结构的栅极还能优化栅极周围的电场分布，减少了高能电子的产生和传播路径，能够显著增强栅极在高温条件下的鲁棒性，从而有效地抑制了冲击电离效应对栅极的损害。
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