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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118039690A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410430808.7
申请日：2024-04-11
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , G01R31/26 , G01R19/00
Abstract: 本发明提供半导体结构、制备方法和栅极异质结上分压标定测算方法，在同一异质结上制备了物理化学性能稳定的肖特基型p‑GaN HEMTs器件和欧姆型p‑GaN HEMTs器件，实现了集成化设计，提高了后续性能测试以及标定测算的可操作性和效率。在具体测试过程中，测试两种器件的正向栅极电压电流（I‑V）特性，基于欧姆型p‑GaN HEMTs栅极的单PIN结I‑V特性，得出等量栅极电流下肖特基型p‑GaN HEMTs栅极异质结中PIN结的电压，随后根据双结串联分压特性得到MS结电压，实现对于p‑GaN HEMTs器件栅极异质结内部双结分压的标定计算。
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公开(公告)号：CN118352422A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410445289.1
申请日：2024-04-12
Applicant: 中国科学技术大学 , 安徽大学 , 台达电子企业管理(上海)有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L29/66 , H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/772 , H01L29/40
Abstract: 本发明公开一种Ⅲ族氮化物器件及其制备方法，岛状电极包括互联金属层和岛状结构层，通过感应耦合等离子体反应离子刻蚀技术和自对准技术制备。岛状电极结构可应用于光电探测器的正极和负极、高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极和横向场效应整流器(L‑FER)的阳极。岛状电极结构在偏压下，耗尽区域扩展到岛状电极四周，提高电场对载流子的耗尽效果，增强性能和可靠性，同时通过半透明互联金属层解决挡光问题，应用在光电探测器的正极和负极中增加光子吸收，提升光电流，应用在HEMT的栅极中降低漏电流和阻断状态下的穿通几率，应用在L‑FER的阳极中降低漏电流和正向导通电阻。
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公开(公告)号：CN120035171A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510510664.0
申请日：2025-04-23
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种混合栅极高电子迁移率晶体管、制备方法与其测试方法。所述晶体管可配置为耗尽模式或增强模式，栅极结构由不同比例的p‑GaN半导体层组成。制备过程中采用电感耦合等离子体反应离子蚀刻技术，保护栅极结构并减少缺陷。器件工作时，通过向栅极施加驱动电压，在源极和漏极偏压下调控p‑GaN/AlGaN/GaN异质结内建电场，耗尽栅极下方的二维电子气，且耗尽程度随p‑GaN比例变化。施加正偏压可恢复二维电子气。整个制备工艺严格遵循标准氮化镓技术流程，无需额外修改。该设计可有效降低栅极漏电，提供稳定且可调的阈值电压，并通过调节p‑GaN比例实现器件常开与常关状态的灵活调控。
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公开(公告)号：CN119133220A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411586220.7
申请日：2024-11-08
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L29/423 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种GaN晶体管结构及其制备方法，其中，GaN晶体管内的栅极呈闭合框架结构，且栅极包围源极，能够彻底隔离漏极与源极，优化栅极与沟道之间的电场分布，显著提升晶体管的正向偏置栅极电压，并有效扼制了漏电通道的形成，大幅降低了漏电流，增强了器件在电路中的稳定性和可靠性。此外，采用上述结构的栅极还能优化栅极周围的电场分布，减少了高能电子的产生和传播路径，能够显著增强栅极在高温条件下的鲁棒性，从而有效地抑制了冲击电离效应对栅极的损害。
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公开(公告)号：CN118039690B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410430808.7
申请日：2024-04-11
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , G01R31/26 , G01R19/00
Abstract: 本发明提供半导体结构、制备方法和栅极异质结上分压标定测算方法，在同一异质结上制备了物理化学性能稳定的肖特基型p‑GaN HEMTs器件和欧姆型p‑GaN HEMTs器件，实现了集成化设计，提高了后续性能测试以及标定测算的可操作性和效率。在具体测试过程中，测试两种器件的正向栅极电压电流（I‑V）特性，基于欧姆型p‑GaN HEMTs栅极的单PIN结I‑V特性，得出等量栅极电流下肖特基型p‑GaN HEMTs栅极异质结中PIN结的电压，随后根据双结串联分压特性得到MS结电压，实现对于p‑GaN HEMTs器件栅极异质结内部双结分压的标定计算。
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