公开(公告)号：CN118727135A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410752255.7

申请日：2024-06-12

Applicant: 安徽大学

Inventor： 唐曦 ,  郭素霞 ,  谌平凡 ,  韩昆 ,  赵长辉 ,  李小慧 ,  解旻旻 ,  何蝶

IPC: C30B23/02 ,  C30B29/40 ,  C30B23/06 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明揭示了一种超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法，所述超宽带隙六方氮化硼薄膜的生长方法具体包括如下：在安装有靶材的腔体内充入气体，并将腔体内的气压调节至目标气压；将衬底加热升温至目标温度，并保持目标温度和目标气压；以及对靶材进行处理，并与衬底产生反应，获得超宽带隙六方氮化硼薄膜。本发明能够实现对薄膜成分、结构和性能的精确控制，还能够实现在大尺寸衬底上生长高质量的超宽带隙六方氮化硼薄膜。

公开(公告)号：CN115863276A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211651146.3

申请日：2022-12-21

Applicant: 安徽大学

Inventor： 唐曦 ,  李小慧 ,  赵长辉 ,  李惠 ,  姜明 ,  甘伟 ,  姜俊松

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓器件散热结构及其制备方法，包括：衬底，自上而下依次形成在衬底上的GaN器件层和过渡层；过渡层和衬底构成一异质结衬底。本发明的过渡层和衬底构成一种异质结衬底，实现GaN器件在高功率运行时所需的高效散热，进而大幅度提升GaN器件的功率密度以及可靠性。