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公开(公告)号：CN114544022A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210173757.5
申请日：2022-02-24
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供一种基于氮化物半导体异质结的载片低功耗温度传感器，其包括整流器件和阻性器件，所述整流器件和阻性器件制备于同片氮化物半导体异质结上。整流器件和阻性器件电学相串联。在电学偏压下，整流器件和阻性器件的电学性质随温度变化而改变：整流器件开启后的电阻随着温度升高而减小，阻性器件电阻随着温度升高而增加。本发明的温度传感器的制备工艺与氮化物半导体异质结电子器件工艺相兼容，无需额外设计新的制备工艺以及材料，即可实现在同一块异质结芯片上的温度探测以及信号放大功能，达到精准、实时、低功耗芯片测温以及节省制备成本的目的。
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公开(公告)号：CN118039690B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410430808.7
申请日：2024-04-11
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , G01R31/26 , G01R19/00
Abstract: 本发明提供半导体结构、制备方法和栅极异质结上分压标定测算方法，在同一异质结上制备了物理化学性能稳定的肖特基型p‑GaN HEMTs器件和欧姆型p‑GaN HEMTs器件，实现了集成化设计，提高了后续性能测试以及标定测算的可操作性和效率。在具体测试过程中，测试两种器件的正向栅极电压电流（I‑V）特性，基于欧姆型p‑GaN HEMTs栅极的单PIN结I‑V特性，得出等量栅极电流下肖特基型p‑GaN HEMTs栅极异质结中PIN结的电压，随后根据双结串联分压特性得到MS结电压，实现对于p‑GaN HEMTs器件栅极异质结内部双结分压的标定计算。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118016666A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410139179.2
申请日：2024-01-31
IPC: H01L27/088 , H01L27/07 , H01L29/16 , H01L29/20
Abstract: 本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，涉及一种宽禁带半导体集成功率模块。本发明公开的一种宽禁带半导体集成功率模块包括：金刚石功率器件、氮化镓功率器件，所述金刚石功率器件与氮化镓功率器件以键合方式集成至同一基底上形成互补逻辑集成，本发明可以有效解决GaN基等传统互补逻辑集成方案中P沟道与N沟道晶体管存在的迁移率不匹配问题，提升功率模块整体性能。
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公开(公告)号：CN118039690A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410430808.7
申请日：2024-04-11
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , G01R31/26 , G01R19/00
Abstract: 本发明提供半导体结构、制备方法和栅极异质结上分压标定测算方法，在同一异质结上制备了物理化学性能稳定的肖特基型p‑GaN HEMTs器件和欧姆型p‑GaN HEMTs器件，实现了集成化设计，提高了后续性能测试以及标定测算的可操作性和效率。在具体测试过程中，测试两种器件的正向栅极电压电流（I‑V）特性，基于欧姆型p‑GaN HEMTs栅极的单PIN结I‑V特性，得出等量栅极电流下肖特基型p‑GaN HEMTs栅极异质结中PIN结的电压，随后根据双结串联分压特性得到MS结电压，实现对于p‑GaN HEMTs器件栅极异质结内部双结分压的标定计算。
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公开(公告)号：CN116435417B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310692124.X
申请日：2023-06-13
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种具有栅极自发光功能的氮化镓器件和制备方法，氮化镓器件的栅极结构自上而下包括：半透明金属层，P型层，势垒层和沟道层。当对栅极施加正向驱动电压时，电子与空穴分别从沟道和栅极金属双向注入到异质结中，部分电子与空穴发生复合并产生光子，并穿过半透明金属电极发射出栅极。器件栅极结构在制备过程中采用半透明栅极金属技术，利用耐等离子体刻蚀的金属层保护栅极结构不受等离子体的刻蚀，并且保持良好的透光性。本发明使得相关测试仪器能够捕捉分析透过半透明栅极产生的电致发光，从而实现光学测试与电学测试同步分析。
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公开(公告)号：CN119133220A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411586220.7
申请日：2024-11-08
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L29/423 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种GaN晶体管结构及其制备方法，其中，GaN晶体管内的栅极呈闭合框架结构，且栅极包围源极，能够彻底隔离漏极与源极，优化栅极与沟道之间的电场分布，显著提升晶体管的正向偏置栅极电压，并有效扼制了漏电通道的形成，大幅降低了漏电流，增强了器件在电路中的稳定性和可靠性。此外，采用上述结构的栅极还能优化栅极周围的电场分布，减少了高能电子的产生和传播路径，能够显著增强栅极在高温条件下的鲁棒性，从而有效地抑制了冲击电离效应对栅极的损害。
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公开(公告)号：CN116435417A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310692124.X
申请日：2023-06-13
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种具有栅极自发光功能的氮化镓器件、制备方法和测试方法，氮化镓器件的栅极结构自上而下包括：半透明金属层，P型层，势垒层和沟道层。当对栅极施加正向驱动电压时，电子与空穴分别从沟道和栅极金属双向注入到异质结中，部分电子与空穴发生复合并产生光子，并穿过半透明金属电极发射出栅极。器件栅极结构在制备过程中采用半透明栅极金属技术，利用耐等离子体刻蚀的金属层保护栅极结构不受等离子体的刻蚀，并且保持良好的透光性。本发明使得相关测试仪器能够捕捉分析透过半透明栅极产生的电致发光，从而实现光学测试与电学测试同步分析。
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