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公开(公告)号：CN1250651C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN99814985.3
申请日：1999-10-14
Applicant: 宇部日东化成株式会社 , 渡部俊也 , 桥本和仁 , 藤嶋昭
IPC: C08L101/00 , C09D201/00 , C08F8/42
CPC classification number: C08F8/42 , Y10T428/31504 , Y10T428/31855 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明涉及一种有机-无机复合级配材料，该材料含有由有机聚合物化合物和金属化合物化学键合所形成的复合材料，该材料具有组分级配构造，即金属化合物的含量从材料表面沿材料的厚度方向连续变化，本发明还涉及生产上述有机-无机复合级配材料的方法，该方法是在有机基材上形成由特定的涂布溶液组成的用于形成有机-无机复合膜的涂层并且加热干燥该涂层，还涉及由用于形成涂层膜的以上有机-无机复合级配材料组成的涂布剂，还涉及涂有以上涂布剂的物品。
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公开(公告)号：CN101779279A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200880103082.5
申请日：2008-08-14
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社 , 宇部兴产株式会社 , 宇部日东化成株式会社
IPC: H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC classification number: H01L23/5329 , H01L21/0212 , H01L21/02126 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02362 , H01L21/3121 , H01L21/316 , H01L21/76807 , H01L21/76819 , H01L21/76829 , H01L21/76832 , H01L21/76835 , H01L21/7684 , H01L21/76897 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明使用绝缘性涂布膜形成层间绝缘膜，所述绝缘性涂布膜具有2.5以下的介电常数k，且由通式((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(式中，n＝1～3、x≤1)所表示的一种或二种以上的氧化物构成。利用旋涂涂布得到的绝缘性涂布膜不反映基底的凹凸，是平坦的，而且，经热处理的膜的表面粗糙度以Ra计为1nm以下，以P-V值计为20nm以下。含有绝缘性涂布膜的层间绝缘膜无需CMP工艺，仅通过蚀刻就可以形成布线结构及电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101785095B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200880103633.8
申请日：2008-08-14
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社 , 宇部兴产株式会社 , 宇部日东化成株式会社
IPC: H01L21/76 , H01L21/312 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/02255 , H01L21/02118 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/3121 , H01L21/316 , H01L21/76807 , H01L21/76828 , H01L21/76835 , H01L21/76897 , H01L21/823425 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L23/53295 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2224/32145 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。在包含浅沟槽元件分离区域、多层结构的层间绝缘膜的半导体器件的制造工序中，需要反复使用CMP，然而由于CMP本身成本高，因此CMP的反复使用导致制造成本上升。作为浅沟槽(ST)元件分离区域中所用的绝缘膜和/或最下层的层间绝缘膜，使用可以利用旋转涂布来涂布的绝缘性涂布膜。该绝缘性涂布膜具有以((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(其中，n＝1～3、0≤x≤1.0)表示的组成，通过选择热处理条件，形成比介电常数k不同的膜。另外，通过将绝缘性涂布膜完全地改性为SiO2膜，可以形成STI元件分离区域，通过设为不完全改性的状态，可以形成比介电常数k小的层间绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1082934C
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN95190290.3
申请日：1995-04-07
Applicant: 宇部日东化成株式会社
IPC: C01B33/18
CPC classification number: C08K9/08 , C01P2004/32 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2004/86 , C01P2006/90 , C08F292/00 , C08K9/06 , C09C1/3081 , C09C1/309 , C09C3/10 , C09C3/12 , G02F1/1339 , Y10T428/2995 , Y10T428/2998
Abstract: 本发明涉及通过含乙烯基硅烷偶合剂，在焙烧二氧化硅微粒的表面上形成具有由单层结构或多层结构所构成的交联树脂包覆二氧化硅微粒。本发明的交联树脂包覆二氧化硅微粒所具有的特点是，在利用超声波振动被分散到分散介质中的场合下，实质上不会引起树脂覆膜的剥离，用作液晶显示装置用隔层的场合下在液晶池形成后实质上不发生移动，同时实质上也不会给液晶本身及其取向带来不利影响。
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公开(公告)号：CN1126984A
公开(公告)日：1996-07-17
申请号：CN95190290.3
申请日：1995-04-07
Applicant: 宇部日东化成株式会社
IPC: C01B33/18
CPC classification number: C08K9/08 , C01P2004/32 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2004/86 , C01P2006/90 , C08F292/00 , C08K9/06 , C09C1/3081 , C09C1/309 , C09C3/10 , C09C3/12 , G02F1/1339 , Y10T428/2995 , Y10T428/2998
Abstract: 本发明涉及通过含乙烯基硅烷偶合剂，在焙烧二氧化硅微粒的表面上形成具有由单层结构或多层结构所构成的交联树脂包覆二氧化硅微粒。本发明的交联树脂包覆二氧化硅微粒所具有的特点是，在利用超声波振动被分散到分散介质中的场合下，实质上不会引起树脂覆膜的剥离，用作液晶显示装置用隔层的场合下在液晶池形成后实质上不发生移动，同时实质上也不会给液晶本身及其取向带来不利影响。
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公开(公告)号：CN101785095A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880103633.8
申请日：2008-08-14
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社 , 宇部兴产株式会社 , 宇部日东化成株式会社
IPC: H01L21/76 , H01L21/312 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/092
CPC classification number: H01L21/02255 , H01L21/02118 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/3121 , H01L21/316 , H01L21/76807 , H01L21/76828 , H01L21/76835 , H01L21/76897 , H01L21/823425 , H01L21/823475 , H01L21/823481 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L23/53295 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2224/32145 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。在包含浅沟槽元件分离区域、多层结构的层间绝缘膜的半导体器件的制造工序中，需要反复使用CMP，然而由于CMP本身成本高，因此CMP的反复使用导致制造成本上升。作为浅沟槽(ST)元件分离区域中所用的绝缘膜和/或最下层的层间绝缘膜，使用可以利用旋转涂布来涂布的绝缘性涂布膜。该绝缘性涂布膜具有以((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(其中，n＝1～3、0≤x≤1.0)表示的组成，通过选择热处理条件，形成比介电常数k不同的膜。另外，通过将绝缘性涂布膜完全地改性为SiO2膜，可以形成STI元件分离区域，通过设为不完全改性的状态，可以形成比介电常数k小的层间绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1331729A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：CN99814985.3
申请日：1999-10-14
Applicant: 宇部日东化成株式会社 , 渡部俊也 , 桥本和仁 , 藤嶋昭
IPC: C08L101/00 , C09D201/00 , C08F8/42
CPC classification number: C08F8/42 , Y10T428/31504 , Y10T428/31855 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明涉及一种有机－无机复合级配材料,该材料含有由有机聚合物化合物和金属化合物化学键合所形成的复合材料,该材料具有组分级配构造,即金属化合物的含量从材料表面沿材料的厚度方向连续变化,本发明还涉及生产上述有机－无机复合级配材料的方法,该方法是在有机基材上形成由特定的涂布溶液组成的用于形成有机－无机复合膜的涂层并且加热干燥该涂层,还涉及由用于形成涂层膜的以上有机－无机复合级配材料组成的涂布剂,还涉及涂有以上涂布剂的物品。
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