公开(公告)号：CN101710593A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200910199056.3

申请日：2009-11-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李惟一 ,  茹国平 ,  蒋玉龙 ,  阮刚

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/66143

Abstract: 本发明属于整流器件技术领域，具体为一种新结构的肖特基二极管。该结构使用非矩形沟槽状导电通道，提升器件反向性能。本发明相对于传统产品，能耐受更大的反向电压，且在击穿前具有更小的漏电流，具有更高的正反电流比，同时几乎不损失正向的驱动能力。

公开(公告)号：CN102244106A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110179347.3

申请日：2011-06-29

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李惟一 ,  茹国平 ,  蒋玉龙 ,  阮刚

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/8725

Abstract: 本发明属于整流器件技术领域，具体为一种肖特基二极管。本发明使用圆弧形状的沟槽，提升器件反向性能。本发明相对于传统产品，能耐受更大的反向电压，且在击穿前具有更小的漏电流，具有更高的正反向电流比，同时几乎不损失正向电流驱动能力。