公开(公告)号：CN103915457A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410095466.4

申请日：2014-03-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋玉龙 ,  包永霞

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种硅基CMOS图像传感器及其抑制光生载流子表面陷阱复合的方法。本发明硅基CMOS图像传感器，具有光生载流子的转移效率高、表面复合率低的特性，具体包括：光电二极管（PPD），浮动扩散区（FD），传递晶体管（TX），浅槽隔离区（STI），抗穿通注入区（APT），以及通过两次不同位置、不同能量、不同剂量的离子注入在局部自对准形成的表面陷阱抑制层，同时获得高的光生载流子转移效率和低的表面陷阱复合率。

公开(公告)号：CN103904092B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410093313.6

申请日：2014-03-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋玉龙 ,  包永霞

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种硅基CMOS图像传感器及其提高电子转移效率的方法。本发明通过在感光区和转移晶体管（TX）沟道区的接触部分引入从体内到表面的递增掺杂，使衬底体内到TX表面沟道的电势逐步递增，实现光生载流子的完全转移，并可以达到理论的转移载流子数目的极限，成功解决了光生载流子不能完全转移引起的噪声问题。

公开(公告)号：CN103904092A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410093313.6

申请日：2014-03-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋玉龙 ,  包永霞

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种硅基CMOS图像传感器及其提高电子转移效率的方法。本发明通过在感光区和转移晶体管（TX）沟道区的接触部分引入从体内到表面的递增掺杂，使衬底体内到TX表面沟道的电势逐步递增，实现光生载流子的完全转移，并可以达到理论的转移载流子数目的极限，成功解决了光生载流子不能完全转移引起的噪声问题。