公开(公告)号：CN103904132A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410093312.1

申请日：2014-03-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋玉龙 ,  彭雾 ,  王琳琳

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/08 ,  H01L29/47

CPC classification number: H01L29/66143 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种调节硅化钛和硅之间肖特基接触势垒的方法。本发明通过向硅化钛薄膜中引入适量氧原子，形成硅化钛（TiSix，内含氧原子）/硅肖特基接触结构，实现对硅化钛与硅之间肖特基接触势垒的有效调节。相比普通硅化钛/硅肖特基整流二极管的工艺流程，本发明只需要增加一步氧原子的引入工艺，就可获得明显的接触势垒调节，整个工艺步骤简单易行，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN105097503A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410199891.8

申请日：2014-05-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋玉龙 ,  王琳琳 ,  彭雾

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种调节硅化钛和硅之间肖特基接触势垒的方法。本发明通过向硅化钛薄膜中引入适量氮原子，形成硅化钛（TiSix，内含氮原子）/Si肖特基接触结构，实现对硅化钛与硅之间肖特基接触势垒的有效调节。相比普通硅化钛/硅肖特基整流二极管的工艺流程，本发明只需要增加一步氮原子的引入工艺，就可获得明显的接触势垒调节，整个工艺步骤简单易行，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN105097503B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201410199891.8

申请日：2014-05-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋玉龙 ,  王琳琳 ,  彭雾

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种调节硅化钛和硅之间肖特基接触势垒的方法。本发明通过向硅化钛薄膜中引入适量氮原子，形成硅化钛（TiSix，内含氮原子）/Si肖特基接触结构，实现对硅化钛与硅之间肖特基接触势垒的有效调节。相比普通硅化钛/硅肖特基整流二极管的工艺流程，本发明只需要增加一步氮原子的引入工艺，就可获得明显的接触势垒调节，整个工艺步骤简单易行，具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN103904132B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410093312.1

申请日：2014-03-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋玉龙 ,  彭雾 ,  王琳琳

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/08 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种调节硅化钛和硅之间肖特基接触势垒的方法。本发明通过向硅化钛薄膜中引入适量氧原子，形成硅化钛（TiSix，内含氧原子）/硅肖特基接触结构，实现对硅化钛与硅之间肖特基接触势垒的有效调节。相比普通硅化钛/硅肖特基整流二极管的工艺流程，本发明只需要增加一步氧原子的引入工艺，就可获得明显的接触势垒调节，整个工艺步骤简单易行，具有良好的应用前景。