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公开(公告)号：CN1786255A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510111835.5
申请日：2005-12-22
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C14/22
Abstract: 本发明是一种一步法制备掺杂化合物薄膜的方法，即同时进行并完成化合物基质膜的合成和杂质原子的掺入。在ECR微波等离子体的辅助下，用一脉冲激光束烧蚀化合物基质膜的主源材料靶，在以反应脉冲激光沉积方式进行化合物基质膜合成沉积的同时，用另一脉冲激光束烧蚀杂质源材料靶，将杂质原子原位掺入基质膜层内。本发明作为一步法制备掺杂化合物薄膜的方法，利用两脉冲激光束对两个靶的共烧蚀和ECR微波等离子体的辅助，无需预先合成化合物基质，即能一步法制得掺杂薄膜，其中，低能等离子体束流的作用还促进膜层生长和杂质掺入。
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公开(公告)号：CN101702398A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910199050.6
申请日：2009-11-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体为一种在硅衬底上制备高介电常数金属氧化物薄膜的方法。本发明用物理气相沉积法在硅衬底表面沉积IIIA、IIIB或IVB族金属薄膜，然后用ECR微波放电产生的氧等离子体束流对沉积在硅表面的金属薄膜进行氧化处理制备得金属氧化物薄膜，在制备过程避免了硅表面直接与含氧气氛接触，从而避免在衬底和薄膜之间形成SiOx过渡层。
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公开(公告)号：CN101514483A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910046920.6
申请日：2009-03-03
Applicant: 复旦大学
IPC: C30B25/00 , C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种在常温条件下制备AlxGa1－xN三元合金半导体薄膜的方法，其利用同一激光束经过分束镜得到两激光束，其中一激光束对铝靶烧蚀向膜层提供铝，另一激光束对AsGa靶烧蚀向膜层提供镓，由氮气微波放电形成的活性氮向膜层提供氮，气相的铝、镓、氮反应形成AlxGa1－xN合金半导体薄膜沉积于衬底上。本发明提供了一种常温条件下制备不同铝、镓比，特别是高铝组分AlxGa1－xN薄膜的方法，其非平衡特征使得构成膜层的组分可以突破平衡固溶度的制约，本发明中两束激光对两个靶的脉冲激光烧蚀引发超饱和度、高电离度、高速膨胀的激光等离子体，并以微波放电形成的高化学活性的等离子体辅助成膜，可以大大降低AlxGa1－xN薄膜的制备温度。
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公开(公告)号：CN100357486C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200510110256.9
申请日：2005-11-10
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C14/28
Abstract: 本发明是一种实施非平衡原位掺杂从而制备掺杂薄膜的新方法。即以一脉冲激光束烧蚀作为薄膜基质的源材料靶、在以脉冲激光沉积方法进行基质膜层沉积的同时，用另一脉冲激光束烧蚀作为掺杂元素的源材料靶，将杂质元素均匀掺入在沉积生长过程中的基质膜层内。即为用双激光束双靶共烧蚀的方法进行薄膜沉积和原位掺杂。本发明用双激光束双靶共烧蚀的薄膜沉积和原位掺杂，可以实现均匀掺杂；两激光束的种类和参数可以分别调整，控制掺杂浓度容易；作为非热力学平衡的薄膜沉积和掺杂方法，可突破化学热力学对掺杂浓度的限制，实现重掺杂。
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公开(公告)号：CN1473952A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03141802.3
申请日：2003-07-24
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C8/36
Abstract: 本发明是一种常温下用微波等离子体和激光束联合对材料表面实施改性处理的方法。现有技术尚未见该类报道。本项发明的方法是：对特定的工作气体进行电子回旋共振微波放电产生微波等离子体，将等离子体引入材料处理室，同时将激光束引入材料处理室，微波等离子体和激光束同时作用于材料表面进行等离子体和激光联合处理，使表层材料的成分、组织或结构发生变化，达到改变或改善材料表面性能的目的。本发明适用范围广，参数调整方便，等离子体和激光束的种类和参数可以单独调整，还可以对材料表面的特定区域进行微区处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1390977A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN02136141.X
申请日：2002-07-20
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C14/22
Abstract: 本发明是一种在常温条件下合成制备化合物薄膜材料的方法。现有技术尚无把电子回旋共振微波放电技术和脉冲激光沉积技术结合起来制备薄膜材料的方法。本项发明的方法是：在电子回旋共振条件下对特定的工作气体进行微波放电产生微波等离子体，在微波等离子体环境中用脉冲激光烧蚀相应的源材料靶引发激光等离子体，微波等离子体中的活性成分和激光烧蚀产生的气相靶物质发生反应，低能等离子体束流对衬底和膜层的轰击进一步引发和增强表面反应，促进成核和膜层形成。本发明可以同时解决常温条件下化合物的形成和膜层生长这两个问题，适用范围广，特别适合于常温条件下化合物薄膜的合成制备。
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公开(公告)号：CN116759501A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310853955.0
申请日：2023-07-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光电子技术领域，具体为一种硅纳米线核壳结构异质结发光二极管及其制备方法。本发明的发光二极管结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、电荷传输层、硅纳米线核壳结构层、掺杂硅衬底(P型或N型)、背面电极。本发明使用硅纳米线和包覆层形成的核壳结构，构成半导体异质结发光二极管，并利用硅纳米线的大比表面积，增大异质结有效结面积，提高电子和空穴的复合几率，从而提高发光二极管的电致发光效率。
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公开(公告)号：CN101851741B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200910149162.0
申请日：2009-06-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属材料制备领域，公开了一种在硅衬底上制备无过渡层的金属氧化物薄膜的方法，尤其是在硅衬底上制备不含SiOx过渡面层、界面良好的IVB族金属氧化物薄膜的方法。本发明方法以IVB族高纯金属和高纯氧气为原材料，以脉冲激光束烧蚀IVB族金属靶引发处于电子回旋共振状态、气压为1×10-2-9×10-2Pa的稀薄氧气微波放电形成氧等离子体，利用氧等离子体辅助脉冲激光沉积在处于30-80℃常温的硅衬底表面沉积制备IVB族金属氧化物薄膜。本发明可以防止硅表面氧化、从而避免在衬底和薄膜之间形成SiOx过渡层。
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公开(公告)号：CN101851741A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200910149162.0
申请日：2009-06-12
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属材料制备领域，公开了一种在硅衬底上制备无过渡层的金属氧化物薄膜的方法，尤其是在硅衬底上制备不含SiOx过渡面层、界面良好的IVB族金属氧化物薄膜的方法。本发明方法以IVB族高纯金属和高纯氧气为原材料，以脉冲激光束烧蚀IVB族金属靶引发处于电子回旋共振状态、气压为1×10-2-9×10-2Pa的稀薄氧气微波放电形成氧等离子体，利用氧等离子体辅助脉冲激光沉积在处于30-80℃常温的硅衬底表面沉积制备IVB族金属氧化物薄膜。本发明可以防止硅表面氧化、从而避免在衬底和薄膜之间形成SiOx过渡层。
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公开(公告)号：CN101780946A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910045496.3
申请日：2009-01-16
Applicant: 复旦大学
IPC: B82B3/00 , H01L21/203
Abstract: 本发明属薄膜制备技术领域，具体涉及一种ZnSe纳米线薄膜的脉冲激光烧蚀沉积制备方法。本发明利用高功率的脉冲激光烧蚀固体硒化锌(ZnSe)材料，在极短时间内使硒化锌材料表面迅速烧蚀蒸发并形成羽状等离子体。等离子体中包括锌(Zn)和硒(Se)的原子以及离子。硒化锌等离子体具有很高的温度及动能，这使得硒化锌纳米线可以在较低的衬底温度下生长。合成的薄膜有均匀的硒化锌纳米线组成，纳米线的平均大小约为20-30纳米，长度约为500纳米。
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