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公开(公告)号：CN113517372A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110272478.X
申请日：2021-03-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/108 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种室温下光伏型黑硅肖特基结红外探测器及制备方法。本发明的红外探测器结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、钝化层、正面黑硅层、硅衬底、背面黑硅层、金属层、N型硅（或P型硅）薄膜、背面电极。本发明利用黑硅在紫外‑近红外波段的减反特性提高探测器近红外光的吸收；利用金属分别与硅衬底（或背面黑硅层）以及N型硅（或P型硅）薄膜形成的肖特基结吸收近红外光并产生光生载流子，并且利用硅衬底（或背面黑硅层）与N型硅（或P型硅）薄膜接触形成的PN结的结区，实现光伏效应的探测，在零偏压下探测近红外光。
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公开(公告)号：CN1786255A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510111835.5
申请日：2005-12-22
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C14/22
Abstract: 本发明是一种一步法制备掺杂化合物薄膜的方法，即同时进行并完成化合物基质膜的合成和杂质原子的掺入。在ECR微波等离子体的辅助下，用一脉冲激光束烧蚀化合物基质膜的主源材料靶，在以反应脉冲激光沉积方式进行化合物基质膜合成沉积的同时，用另一脉冲激光束烧蚀杂质源材料靶，将杂质原子原位掺入基质膜层内。本发明作为一步法制备掺杂化合物薄膜的方法，利用两脉冲激光束对两个靶的共烧蚀和ECR微波等离子体的辅助，无需预先合成化合物基质，即能一步法制得掺杂薄膜，其中，低能等离子体束流的作用还促进膜层生长和杂质掺入。
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公开(公告)号：CN116825876A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310853947.6
申请日：2023-07-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0288 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种肖特基结增强的体缺陷吸收近红外探测器及其制备方法。本发明的近红外探测器结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、金属层、掺杂硅衬底(P型或N型、平面硅或黑硅)、钝化层、背面电极。本发明利用掺杂元素在硅衬底中掺杂形成的体缺陷吸收近红外光，产生光生载流子；通过金属与硅衬底形成的肖特基结吸收近红外光，产生光生载流子；同时利用肖特基结的内建电场促使光生载流子单向传输，在零偏压或负偏压下形成光电流，从而探测近红外光；通过肖特基结的内建电场，显著增加载流子传输速率，降低光生载流子复合概率，提升器件的响应度以及探测度。
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公开(公告)号：CN119855260A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411875107.0
申请日：2024-12-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H10F30/227 , H10F30/24 , H10F77/14 , H10F71/00
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种双肖特基结硅基近红外光电探测器及其制备方法。本发明的探测器结构从上到下依次为：正面电极、上金属层、硅衬底、下金属层、背面电极。本发明利用上金属层和硅衬底形成的肖特基结吸收波长大于Si带隙宽度的近红外光，形成光电响应。并通过在探测器背面引入肖特基结，进一步降低了探测器暗电流，提高响应度。与传统的单肖特基结探测器相比，本发明的暗电流密度降低了两个数量级，响应度提升了4倍，比探测度提升了一个数量级以上。
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公开(公告)号：CN116960208A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310805948.3
申请日：2023-07-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0288 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于光电探测技术领域，具体为一种添加阻挡层的杂质吸收近红外探测器及其制备方法和应用。本发明的近红外探测器结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、钝化层、掺杂硅衬底（P型或N型、平面硅或黑硅）、阻挡层、背面电极。本发明利用在硅衬底中掺杂形成的体缺陷吸收近红外光并产生光生载流子，在负偏压或零偏压下形成光电流，探测近红外光，并利用阻挡层的宽带隙宽度抑制电子在掺杂硅衬底中的杂质能级传输，从而显著降低了探测器暗电流，实现了极低的暗电流与高探测度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101702398A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910199050.6
申请日：2009-11-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体为一种在硅衬底上制备高介电常数金属氧化物薄膜的方法。本发明用物理气相沉积法在硅衬底表面沉积IIIA、IIIB或IVB族金属薄膜，然后用ECR微波放电产生的氧等离子体束流对沉积在硅表面的金属薄膜进行氧化处理制备得金属氧化物薄膜，在制备过程避免了硅表面直接与含氧气氛接触，从而避免在衬底和薄膜之间形成SiOx过渡层。
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公开(公告)号：CN101514483A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910046920.6
申请日：2009-03-03
Applicant: 复旦大学
IPC: C30B25/00 , C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种在常温条件下制备AlxGa1－xN三元合金半导体薄膜的方法，其利用同一激光束经过分束镜得到两激光束，其中一激光束对铝靶烧蚀向膜层提供铝，另一激光束对AsGa靶烧蚀向膜层提供镓，由氮气微波放电形成的活性氮向膜层提供氮，气相的铝、镓、氮反应形成AlxGa1－xN合金半导体薄膜沉积于衬底上。本发明提供了一种常温条件下制备不同铝、镓比，特别是高铝组分AlxGa1－xN薄膜的方法，其非平衡特征使得构成膜层的组分可以突破平衡固溶度的制约，本发明中两束激光对两个靶的脉冲激光烧蚀引发超饱和度、高电离度、高速膨胀的激光等离子体，并以微波放电形成的高化学活性的等离子体辅助成膜，可以大大降低AlxGa1－xN薄膜的制备温度。
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公开(公告)号：CN100357486C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200510110256.9
申请日：2005-11-10
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C14/28
Abstract: 本发明是一种实施非平衡原位掺杂从而制备掺杂薄膜的新方法。即以一脉冲激光束烧蚀作为薄膜基质的源材料靶、在以脉冲激光沉积方法进行基质膜层沉积的同时，用另一脉冲激光束烧蚀作为掺杂元素的源材料靶，将杂质元素均匀掺入在沉积生长过程中的基质膜层内。即为用双激光束双靶共烧蚀的方法进行薄膜沉积和原位掺杂。本发明用双激光束双靶共烧蚀的薄膜沉积和原位掺杂，可以实现均匀掺杂；两激光束的种类和参数可以分别调整，控制掺杂浓度容易；作为非热力学平衡的薄膜沉积和掺杂方法，可突破化学热力学对掺杂浓度的限制，实现重掺杂。
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公开(公告)号：CN1473952A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03141802.3
申请日：2003-07-24
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C8/36
Abstract: 本发明是一种常温下用微波等离子体和激光束联合对材料表面实施改性处理的方法。现有技术尚未见该类报道。本项发明的方法是：对特定的工作气体进行电子回旋共振微波放电产生微波等离子体，将等离子体引入材料处理室，同时将激光束引入材料处理室，微波等离子体和激光束同时作用于材料表面进行等离子体和激光联合处理，使表层材料的成分、组织或结构发生变化，达到改变或改善材料表面性能的目的。本发明适用范围广，参数调整方便，等离子体和激光束的种类和参数可以单独调整，还可以对材料表面的特定区域进行微区处理。
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公开(公告)号：CN1390977A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN02136141.X
申请日：2002-07-20
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C14/22
Abstract: 本发明是一种在常温条件下合成制备化合物薄膜材料的方法。现有技术尚无把电子回旋共振微波放电技术和脉冲激光沉积技术结合起来制备薄膜材料的方法。本项发明的方法是：在电子回旋共振条件下对特定的工作气体进行微波放电产生微波等离子体，在微波等离子体环境中用脉冲激光烧蚀相应的源材料靶引发激光等离子体，微波等离子体中的活性成分和激光烧蚀产生的气相靶物质发生反应，低能等离子体束流对衬底和膜层的轰击进一步引发和增强表面反应，促进成核和膜层形成。本发明可以同时解决常温条件下化合物的形成和膜层生长这两个问题，适用范围广，特别适合于常温条件下化合物薄膜的合成制备。
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