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公开(公告)号：CN100357486C
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200510110256.9
申请日：2005-11-10
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C14/28
Abstract: 本发明是一种实施非平衡原位掺杂从而制备掺杂薄膜的新方法。即以一脉冲激光束烧蚀作为薄膜基质的源材料靶、在以脉冲激光沉积方法进行基质膜层沉积的同时，用另一脉冲激光束烧蚀作为掺杂元素的源材料靶，将杂质元素均匀掺入在沉积生长过程中的基质膜层内。即为用双激光束双靶共烧蚀的方法进行薄膜沉积和原位掺杂。本发明用双激光束双靶共烧蚀的薄膜沉积和原位掺杂，可以实现均匀掺杂；两激光束的种类和参数可以分别调整，控制掺杂浓度容易；作为非热力学平衡的薄膜沉积和掺杂方法，可突破化学热力学对掺杂浓度的限制，实现重掺杂。
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公开(公告)号：CN1473952A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：CN03141802.3
申请日：2003-07-24
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C8/36
Abstract: 本发明是一种常温下用微波等离子体和激光束联合对材料表面实施改性处理的方法。现有技术尚未见该类报道。本项发明的方法是：对特定的工作气体进行电子回旋共振微波放电产生微波等离子体，将等离子体引入材料处理室，同时将激光束引入材料处理室，微波等离子体和激光束同时作用于材料表面进行等离子体和激光联合处理，使表层材料的成分、组织或结构发生变化，达到改变或改善材料表面性能的目的。本发明适用范围广，参数调整方便，等离子体和激光束的种类和参数可以单独调整，还可以对材料表面的特定区域进行微区处理。
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公开(公告)号：CN1390977A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN02136141.X
申请日：2002-07-20
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C14/22
Abstract: 本发明是一种在常温条件下合成制备化合物薄膜材料的方法。现有技术尚无把电子回旋共振微波放电技术和脉冲激光沉积技术结合起来制备薄膜材料的方法。本项发明的方法是：在电子回旋共振条件下对特定的工作气体进行微波放电产生微波等离子体，在微波等离子体环境中用脉冲激光烧蚀相应的源材料靶引发激光等离子体，微波等离子体中的活性成分和激光烧蚀产生的气相靶物质发生反应，低能等离子体束流对衬底和膜层的轰击进一步引发和增强表面反应，促进成核和膜层形成。本发明可以同时解决常温条件下化合物的形成和膜层生长这两个问题，适用范围广，特别适合于常温条件下化合物薄膜的合成制备。
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公开(公告)号：CN1793418A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510110256.9
申请日：2005-11-10
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C14/28
Abstract: 本发明是一种实施非平衡原位掺杂从而制备掺杂薄膜的新方法。即以一脉冲激光束烧蚀作为薄膜基质的源材料靶、在以脉冲激光沉积方法进行基质膜层沉积的同时，用另一脉冲激光束烧蚀作为掺杂元素的源材料靶，将杂质元素均匀掺入在沉积生长过程中的基质膜层内。即为用双激光束双靶共烧蚀的方法进行薄膜沉积和原位掺杂。本发明用双激光束双靶共烧蚀的薄膜沉积和原位掺杂，可以实现均匀掺杂；两激光束的种类和参数可以分别调整，控制掺杂浓度容易；作为非热力学平衡的薄膜沉积和掺杂方法，可突破化学热力学对掺杂浓度的限制，实现重掺杂。
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