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公开(公告)号：CN101702398A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910199050.6
申请日：2009-11-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于材料制备技术领域，具体为一种在硅衬底上制备高介电常数金属氧化物薄膜的方法。本发明用物理气相沉积法在硅衬底表面沉积IIIA、IIIB或IVB族金属薄膜，然后用ECR微波放电产生的氧等离子体束流对沉积在硅表面的金属薄膜进行氧化处理制备得金属氧化物薄膜，在制备过程避免了硅表面直接与含氧气氛接触，从而避免在衬底和薄膜之间形成SiOx过渡层。
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