公开(公告)号：CN100476020C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610148157.4

申请日：2006-12-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 许宁 ,  胡巍 ,  沈轶群 ,  张廷卫

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/02 ,  C23C16/448 ,  C23C16/503 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明属薄膜制备技术领域，具体为一种直流放电活性原子束喷射制备氮化钛纳米薄膜的方法。该方法利用一台弧热等离子束源来分解甲烷和氮气，出射离子束由高密度的中性氮原子和甲基构成，强度为1019-1020原子/弧度.秒。出射束粒子达到衬底，使得在低衬底温度(小于200摄氏度)合成氮化碳薄膜。合成的薄膜由致密的为21-50纳米的球形晶粒构成，晶粒主要是β-C3N4、石墨相C3N4和CNx结构。

公开(公告)号：CN101780946A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200910045496.3

申请日：2009-01-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 许宁 ,  赖菊水 ,  沈轶群 ,  吴嘉达 ,  应质峰

IPC: B82B3/00 ,  H01L21/203

Abstract: 本发明属薄膜制备技术领域，具体涉及一种ZnSe纳米线薄膜的脉冲激光烧蚀沉积制备方法。本发明利用高功率的脉冲激光烧蚀固体硒化锌(ZnSe)材料，在极短时间内使硒化锌材料表面迅速烧蚀蒸发并形成羽状等离子体。等离子体中包括锌(Zn)和硒(Se)的原子以及离子。硒化锌等离子体具有很高的温度及动能，这使得硒化锌纳米线可以在较低的衬底温度下生长。合成的薄膜有均匀的硒化锌纳米线组成，纳米线的平均大小约为20-30纳米，长度约为500纳米。

公开(公告)号：CN1986878A

公开(公告)日：2007-06-27

申请号：CN200610148157.4

申请日：2006-12-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 许宁 ,  胡巍 ,  沈轶群 ,  张廷卫

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/02 ,  C23C16/448 ,  C23C16/503 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明属薄膜制备技术领域，具体为一种直流放电活性原子束喷射制备氮化钛纳米薄膜的方法。该方法利用一台弧热等离子束源来分解甲烷和氮气，出射离子束由高密度的中性氮原子和甲基构成，强度为1019－1020原子/弧度.秒。出射束粒子达到衬底，使得在低衬底温度(小于200摄氏度)合成氮化碳薄膜。合成的薄膜由致密的为21－50纳米的球形晶粒构成，晶粒主要是β－C3N4、石墨相C3N4和CNx结构。