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公开(公告)号:CN1964594A
公开(公告)日:2007-05-16
申请号:CN200610118104.8
申请日:2006-11-09
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属薄膜材料制备技术领域,具体为一种用于薄膜材料合成的直流放电原子束源。它由阴极、阳极、阴极基座、阳极法兰、阴极法兰、圆柱形石英玻璃筒和电磁铁组成。阴极法兰和阳极法兰固定于石英玻璃筒上下两端,阴极安插于阴极基座下端,阴极基座贯穿阴极法兰中轴,上下可调。阳极为中空,尖端为原子束引出孔,阳极设于阳极法兰的下沉洞孔中。阴极与阳极间距为0.5-1.5厘米可调。本原子束源放电稳定性好,可产生多种气体的原子束;原子束强度大,弧光放电可达1018-21,辉光放电可达1015-18。而且使用寿命长。可用于薄膜制备,材料表面的氮化、氧化处理,也可以用于原子分子物理研究。
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公开(公告)号:CN101780946A
公开(公告)日:2010-07-21
申请号:CN200910045496.3
申请日:2009-01-16
Applicant: 复旦大学
IPC: B82B3/00 , H01L21/203
Abstract: 本发明属薄膜制备技术领域,具体涉及一种ZnSe纳米线薄膜的脉冲激光烧蚀沉积制备方法。本发明利用高功率的脉冲激光烧蚀固体硒化锌(ZnSe)材料,在极短时间内使硒化锌材料表面迅速烧蚀蒸发并形成羽状等离子体。等离子体中包括锌(Zn)和硒(Se)的原子以及离子。硒化锌等离子体具有很高的温度及动能,这使得硒化锌纳米线可以在较低的衬底温度下生长。合成的薄膜有均匀的硒化锌纳米线组成,纳米线的平均大小约为20-30纳米,长度约为500纳米。
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公开(公告)号:CN201039578Y
公开(公告)日:2008-03-19
申请号:CN200620048966.3
申请日:2006-12-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H05H3/02
Abstract: 本实用新型属薄膜材料制备技术领域,具体为一种用于薄膜材料合成的直流放电原子束源。它由阴极、阳极、阴极基座、阳极法兰、阴极法兰、圆柱形石英玻璃筒和电磁铁组成。阴极法兰和阳极法兰固定于石英玻璃筒上下两端,阴极安插于阴极基座下端,阴极基座贯穿阴极法兰中轴,上下可调。阳极为中空,尖端为原子束引出孔,阳极设于阳极法兰的下沉洞孔中。阴极与阳极间距为0.5-1.5厘米可调。本原子束源放电稳定性好,可产生多种气体的原子束;原子束强度大,弧光放电可达1018-21,辉光放电可达1015-18。而且使用寿命长。可用于薄膜制备,材料表面的氮化、氧化处理,也可以用于原子分子物理研究。
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