公开(公告)号：CN116806448A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202280011619.5

申请日：2022-01-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·里佐洛 ,  S·扎雷 ,  V·V·梅塔 ,  E·R·埃瓦茨

IPC: H10N50/85 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 披露了一种磁性随机存取存储器(MRAM)结构，该MRAM结构包含磁性衬垫(160)，该磁性衬垫包含铁磁性材料，其位于磁性隧道结(MTJ)堆叠(140)与顶部触点(180)之间或可选金属硬掩模(150)之上。这使得磁性衬垫用作自变量以平衡MTJ堆叠中的磁参数以在MTJ层处实现零磁场。扩散阻挡衬垫(170)可能位于顶部触点(180)和磁性衬垫(160)之间。同样披露了对应的制造方法。

公开(公告)号：CN116548096A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180077864.1

申请日：2021-11-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·扎雷 ,  M·里佐洛 ,  V·V·梅塔 ,  E·R·埃瓦茨 ,  T·斯坦达尔特

IPC: H10N50/80 ,  H10B61/00

Abstract: 一种装置，包括：磁性隧道结(MTJ)；扩散势垒，其中，所述MTJ位于所述扩散势垒上；以及底部触点，所述底部触点包括磁场生成部件，其中，所述扩散势垒位于所述底部触点的顶部，其中，由所述磁场生成部件所生成的磁场影响所述MTJ的稳定性。

公开(公告)号：CN117242912A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280030706.5

申请日：2022-05-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·瑞佐罗 ,  S·扎雷 ,  V·V·梅塔 ,  E·R·埃瓦茨

IPC: H10B61/00

Abstract: 提供一种磁阻随机存取存储器(MRAM)单元。MRAM单元(500)包括顶部接触件(502)、顶部接触件下方的硬掩模层(504)、以及硬掩模层下方的磁性隧道结(MTJ)(506)。MRAM单元进一步包括：MTJ下方的扩散势垒(508)、扩散势垒下方的底部接触件(510)、以及围绕底部接触件布置的磁性衬层(512)。