公开(公告)号：CN116548096A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180077864.1

申请日：2021-11-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·扎雷 ,  M·里佐洛 ,  V·V·梅塔 ,  E·R·埃瓦茨 ,  T·斯坦达尔特

IPC: H10N50/80 ,  H10B61/00

Abstract: 一种装置，包括：磁性隧道结(MTJ)；扩散势垒，其中，所述MTJ位于所述扩散势垒上；以及底部触点，所述底部触点包括磁场生成部件，其中，所述扩散势垒位于所述底部触点的顶部，其中，由所述磁场生成部件所生成的磁场影响所述MTJ的稳定性。

公开(公告)号：CN116438600A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180076101.5

申请日：2021-11-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·约詹德拉 ,  E·R·埃瓦茨

IPC: G11C11/56

Abstract: 提供了一种磁阻随机存取存储器(MRAM)单元。MRAM单元包括第一重金属层和耦合到第一重金属层的第一磁隧道结(MTJ)。第一MTJ具有第一面积。MRAM单元还包括第二MTJ。第二MTJ与第一MTJ串联连接，并且第二MTJ具有与第一面积不同的第二面积。第二MTJ与第一MTJ共享参考层。MRAM单元还包括耦合到第二MTJ的第二重金属层。

公开(公告)号：CN117242912A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202280030706.5

申请日：2022-05-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·瑞佐罗 ,  S·扎雷 ,  V·V·梅塔 ,  E·R·埃瓦茨

IPC: H10B61/00

Abstract: 提供一种磁阻随机存取存储器(MRAM)单元。MRAM单元(500)包括顶部接触件(502)、顶部接触件下方的硬掩模层(504)、以及硬掩模层下方的磁性隧道结(MTJ)(506)。MRAM单元进一步包括：MTJ下方的扩散势垒(508)、扩散势垒下方的底部接触件(510)、以及围绕底部接触件布置的磁性衬层(512)。

公开(公告)号：CN116830199A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202280011282.8

申请日：2022-01-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·杜塔 ,  E·R·埃瓦茨

IPC: G11C11/16

Abstract: 一种磁阻随机存取存储器(MRAM)器件，包括选择性地连接到第一位线的第一单元和选择性地连接到第二位线的第二单元。该MRAM器件进一步包括连接到第一单元且连接到第二单元的共享晶体管。该MRAM器件进一步包括第一选择器器件和第二选择器器件。第一选择器器件被配置为当施加至第一选择器器件的电压大于阈值激活电压时允许电流流过第一单元至共享晶体管。第二选择器器件被配置为当施加至第二选择器器件的电压大于阈值激活电压时允许电流流过第二单元至共享晶体管。该MRAM单元进一步包括连接到共享晶体管的栅极的字线。

公开(公告)号：CN116806448A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202280011619.5

申请日：2022-01-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·里佐洛 ,  S·扎雷 ,  V·V·梅塔 ,  E·R·埃瓦茨

IPC: H10N50/85 ,  H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 披露了一种磁性随机存取存储器(MRAM)结构，该MRAM结构包含磁性衬垫(160)，该磁性衬垫包含铁磁性材料，其位于磁性隧道结(MTJ)堆叠(140)与顶部触点(180)之间或可选金属硬掩模(150)之上。这使得磁性衬垫用作自变量以平衡MTJ堆叠中的磁参数以在MTJ层处实现零磁场。扩散阻挡衬垫(170)可能位于顶部触点(180)和磁性衬垫(160)之间。同样披露了对应的制造方法。