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公开(公告)号：CN103632951A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310371406.6
申请日：2013-08-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/417
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L29/45 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7848 , H01L21/32053 , H01L21/321 , H01L29/665
Abstract: 本发明涉及使用快速退火在SiGe层上形成均匀Ni（Pt）Si（Ge）接触的方法和器件。提供了在不使用帽层的情况下形成光滑硅化物的技术。在一个方面，提供了一种用于形成硅化物的无帽层方法。所述方法包括以下步骤。提供选自硅和硅锗的半导体材料。在所述半导体材料上沉积至少一种硅化物金属。在约400℃到约800℃的温度下，将所述半导体材料和所述至少一种硅化物金属退火小于或等于约10毫秒的时长以形成硅化物。另外还提供了FET器件和用于制造FET器件的方法。
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公开(公告)号：CN101023514A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200580031570.6
申请日：2005-09-20
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/31 , H01L21/44 , H01L21/469 , H01L21/763
CPC classification number: H01L21/76873 , H01L21/2855 , H01L21/7684 , H01L21/76877
Abstract: 通过一种包括不纯铜种子层(440)的互连，消除在生产线后端的半导体器件的铜互连边缘上的缺陷。该不纯铜种子层(440)覆盖阻挡层(230)，该阻挡层(230)覆盖具有开口的绝缘层(115)。电镀铜填充在绝缘层(115)中的开口。通过化学机械抛光，使阻挡层(230)、从电镀铜液得到的不纯铜种子层(440)以及电镀铜关于绝缘层(115)平坦化。
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公开(公告)号：CN1230898C
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN99104622.6
申请日：1999-03-31
Inventor： L·A·克勒文格 , J·L·胡尔德 , R·G·菲利皮 , R·C·伊古尔登 , M·霍因基斯 , H·帕尔姆 , H·W·珀茨贝尔格 , K·P·罗德贝尔 , F·施纳贝尔 , S·维贝尔 , E·A·梅特
IPC: H01L23/485 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76807 , H01L21/76849 , H01L21/76876 , H01L23/485 , H01L23/53223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 具有改善的可靠性、用于互连集成电路元件的导体。导体包括围绕导体的至少三个面的衬里，以产生低织构的导体。已发现低织构的导体产生改善的电迁移寿命。
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公开(公告)号：CN103779376B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310484752.5
申请日：2013-10-16
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L27/2472 , H01L23/576 , H01L27/24 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/144 , H01L2924/0002 , Y10T29/49155 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及具有篡改检测和响应装置的集成电路以及用于制造这种集成电路的方法。一种具有篡改检测和响应装置的集成电路包括至少一种反应材料和耦合到所述至少一种反应材料的至少一个存储单元。所述至少一种反应材料中的放热反应引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。另一种具有篡改检测和响应装置的集成电路包括衬底、所述衬底上的至少一个门以及位于所述至少一个门的第一阱和第二阱之间的反应材料。所述反应材料中的反应引起所述门中的短路。
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公开(公告)号：CN103632951B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310371406.6
申请日：2013-08-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/417
CPC classification number: H01L21/28518 , H01L29/45 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7848
Abstract: 本发明涉及使用快速退火在SiGe层上形成均匀Ni（Pt）Si（Ge）接触的方法和器件。提供了在不使用帽层的情况下形成光滑硅化物的技术。在一个方面，提供了一种用于形成硅化物的无帽层方法。所述方法包括以下步骤。提供选自硅和硅锗的半导体材料。在所述半导体材料上沉积至少一种硅化物金属。在约400℃到约800℃的温度下，将所述半导体材料和所述至少一种硅化物金属退火小于或等于约10毫秒的时长以形成硅化物。另外还提供了FET器件和用于制造FET器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1243337A
公开(公告)日：2000-02-02
申请号：CN99104622.6
申请日：1999-03-31
Inventor： L·A·克勒文格 , J·L·胡尔德 , R·G·菲利皮 , R·C·伊古尔登 , M·霍因基斯 , H·帕尔姆 , H·W·珀茨贝尔格 , K·P·罗德贝尔 , F·施纳贝尔 , S·维贝尔 , E·A·梅特
IPC: H01L23/62 , H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76807 , H01L21/76849 , H01L21/76876 , H01L23/485 , H01L23/53223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 具有改善的可靠性、用于互连集成电路元件的导体。导体包括围绕导体的至少三个面的衬里,以产生低织构的导体。已发现低织构的导体产生改善的电迁移寿命。
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公开(公告)号：CN103778955B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201310484751.0
申请日：2013-10-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C11/56
CPC classification number: H01L23/576 , G06F21/86 , H01L27/24 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及具有篡改检测和响应装置的集成电路以及制造这种集成电路的方法。具有篡改检测和响应装置的一种集成电路包括至少一个光伏电池和耦合到所述至少一个光伏电池的至少一个存储单元。当所述至少一个光伏电池暴露于辐射时，所述至少一个光伏电池产生电流，该电流引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。具有篡改检测和响应装置的另一种集成电路包括至少一个光伏电池和耦合到所述至少一个光伏电池的反应材料，其中来自所述至少一个光伏电池的电流触发所述反应材料中的放热反应。
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公开(公告)号：CN103778955A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310484751.0
申请日：2013-10-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C11/56
CPC classification number: H01L23/576 , G06F21/86 , H01L27/24 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开涉及具有篡改检测和响应装置的集成电路以及制造这种集成电路的方法。具有篡改检测和响应装置的一种集成电路包括至少一个光伏电池和耦合到所述至少一个光伏电池的至少一个存储单元。当所述至少一个光伏电池暴露于辐射时，所述至少一个光伏电池产生电流，该电流引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。具有篡改检测和响应装置的另一种集成电路包括至少一个光伏电池和耦合到所述至少一个光伏电池的反应材料，其中来自所述至少一个光伏电池的电流触发所述反应材料中的放热反应。
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公开(公告)号：CN1134060C
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN99104442.8
申请日：1999-03-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/7687 , H01L21/76843 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明旨在提供α-W层，用于如沟槽电容器或镶嵌布线级等互连结构中作为扩散阻挡层。该α-W层是单相材料，是利以用六羰基钨W(CO)6作源材料的低温/低压化学汽相淀积形成的。
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公开(公告)号：CN1449322A
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN01814572.8
申请日：2001-06-29
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 通过将一个CMP垫(12)定位在一个支承表面上，使该垫的一个工作表面(22)与一个铣刀(24)和至少一个邻近该铣刀的突出的止动部件(33)相对间隔开，且使铣刀的外端部分伸出该止动部件，而在该垫中形成槽。当铣刀转动时，在铣刀与垫之间的相对轴向运动使铣刀的外端部分在垫上切出一初始凹陷。然后，在旋转的铣刀和垫之间的相对横向运动形成一槽，该槽从上述凹陷离开横向延伸，并与该凹陷具有基本相等的深度。铣刀与垫之间不同的横向运动用于形成各种各样的槽图案，槽的深度由所述止动部件来精确地控制。该槽可以形成于抛光表面和/或垫的后相对表面上；可以设置通道，用以提供后槽与抛光表面或前槽之间的相互连接。抛光表面中的槽可设有出口，通过该出口，可以在抛光表面与工件表面相接触时使磨料浆流出。
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