公开(公告)号：CN1700472A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510067824.1

申请日：2005-04-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·P·别良斯基 ,  J·C·刘 ,  万幸仁 ,  R·S·怀斯 ,  阎红雯

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/105 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种场效应晶体管，具有设置在源极与漏极之间的栅极、设置在栅极下方的栅极介质层和栅极侧壁上的隔离层。该栅极介质层为常规的氧化物，而隔离层具有减小的介电常数(k)。减小的介电常数(k)可以小于3.85，或可以小于7.0(～氮化物)而大于3.85(～氧化物)。优选，该隔离层包括相对于栅极介质层可以被选择性蚀刻的材料。该隔离层可以为多孔的，并在该多孔隔离层上沉积一薄层以防止湿气吸收。该隔离层可以包括选自如下的材料：Black Diamond、Coral、TERA和Blok型材料。可以通过将隔离层暴露于氧等离子体来在隔离层中形成孔。

公开(公告)号：CN104714364B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201410681509.7

申请日：2014-11-24

Applicant: 国际商业机器公司 ,  ST微电子公司

Inventor： L·A·克莱文格 ,  C·J·拉登斯 ,  R·S·怀斯 ,  徐移恒 ,  J·张

IPC: G03F7/00

Abstract: 本发明的实施例提供一种形成器件图案的方法。该方法包括：定义要在器件层中创建的器件图案；在器件层上形成牺牲层；识别压印模具，该压印模具在沿着其高度的一个位置具有代表器件图案的水平截面形状；将压印模具均匀地推挤到牺牲层中，直至压印模具的至少所述位置到达正在由压印模具推挤的牺牲层内的一水平面；将压印模具从牺牲层移除；在由压印模具在牺牲层中创建的凹槽中形成硬掩模，硬掩模具有代表器件图案的图案；以及将硬掩模的图案转移到下面的器件层中。

公开(公告)号：CN102341894A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010188.8

申请日：2010-04-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·P·胡齐克 ,  W·K·汉森 ,  R·杰哈 ,  梁玥 ,  R·拉马钱德兰 ,  R·S·怀斯

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/49 ,  H01L29/7833

Abstract: 在一个实施例中，本发明提供了一种形成半导体器件的方法，其包括：提供衬底，所述衬底包括第一导电类型区域和第二导电类型区域；形成栅极叠层，其包括在所述第一导电类型区域和所述第二导电类型区域顶上的栅极电介质以及覆盖所述高k栅极电介质的第一金属栅极导体；去除所述第一金属栅极导体的在所述第一导电类型区域中的部分，以暴露所述第一导电类型区域中的所述栅极电介质；向所述衬底施加基于氮的等离子体，其中所述基于氮的等离子体使在所述第一导电类型区域中的栅极电介质氮化，并使所述第二导电类型区域中的第一金属栅极导体氮化；以及形成第二金属栅极导体，其至少覆盖所述第一导电类型区域中的栅极电介质。

公开(公告)号：CN100383969C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200510067824.1

申请日：2005-04-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·P·别良斯基 ,  J·C·刘 ,  万幸仁 ,  R·S·怀斯 ,  阎红雯

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/105 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种场效应晶体管，具有设置在源极与漏极之间的栅极、设置在栅极下方的栅极介质层和栅极侧壁上的隔离层。该栅极介质层为常规的氧化物，而隔离层具有减小的介电常数(k)。减小的介电常数(k)可以小于3.85，或可以小于7.0(～氮化物)而大于3.85(～氧化物)。优选，该隔离层包括相对于栅极介质层可以被选择性蚀刻的材料。该隔离层可以为多孔的，并在该多孔隔离层上沉积一薄层以防止湿气吸收。该隔离层可以包括选自如下的材料：Black Diamond、Coral、TERA和Blok型材料。可以通过将隔离层暴露于氧等离子体来在隔离层中形成孔。

公开(公告)号：CN104714364A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410681509.7

申请日：2014-11-24

Applicant: 国际商业机器公司 ,  ST微电子公司

Inventor： L·A·克莱文格 ,  C·J·拉登斯 ,  R·S·怀斯 ,  徐移恒 ,  J·张

IPC: G03F7/00

CPC classification number: H01L21/0337 ,  B81C1/0046 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/31144

Abstract: 本发明的实施例提供一种形成器件图案的方法。该方法包括：定义要在器件层中创建的器件图案；在器件层上形成牺牲层；识别压印模具，该压印模具在沿着其高度的一个位置具有代表器件图案的水平截面形状；将压印模具均匀地推挤到牺牲层中，直至压印模具的至少所述位置到达正在由压印模具推挤的牺牲层内的一水平面；将压印模具从牺牲层移除；在由压印模具在牺牲层中创建的凹槽中形成硬掩模，硬掩模具有代表器件图案的图案；以及将硬掩模的图案转移到下面的器件层中。