公开(公告)号：CN101604664A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910148824.2

申请日：2009-06-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 黄洸汉 ,  M·P·查德齐克 ,  R·T·莫 ,  R·杰哈 ,  T·L·格雷夫斯-阿比

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/283 ,  H01L27/04 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/324 ,  H01L29/517

Abstract: 公开了通过沉积原位硅(Si)盖来改进金属栅极器件性能的结构和方法。通过脱气工艺加热包括衬底和电介质层的晶片，然后将晶片冷却到近似室温。然后沉积金属层，然后在其上沉积原位Si盖。无真空破坏地(即在加热、冷却和金属沉积工艺的相同主结构中或者相同室中)沉积Si盖。这样，减少了在后续加工期间可用于层间氧化物再生长的氧含量以及金属栅极中俘获的氧含量。