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公开(公告)号：CN103390697B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310168107.2
申请日：2013-05-09
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/20 , H01L31/077 , H01L31/0368 , H01L21/205
CPC classification number: H01L31/077 , C23C16/0272 , C23C16/45523 , C23C16/45557 , C23C16/50 , C23C16/515 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/02167 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/022483 , H01L31/03682 , H01L31/03687 , H01L31/03762 , H01L31/03921 , H01L31/056 , H01L31/065 , H01L31/1816 , H01L31/20 , Y02E10/52 , Y02E10/546 , Y02E10/548
Abstract: 本发明涉及光伏器件、其形成方法以及等离子体增强化学气相沉积系统。一种形成光伏器件的方法包括提供衬底。在所述衬底上沉积光伏叠层的一个或多个层。沉积非晶层包括执行高功率快闪沉积以沉积所述层的第一部分。执行低功率沉积以沉积所述层的第二部分。
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公开(公告)号：CN104037059A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410074514.1
申请日：2014-03-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/302
CPC classification number: B32B43/006 , C03C17/00 , H01L31/1896 , Y02E10/50 , Y10T156/11 , Y10T156/1168 , Y10T156/1978
Abstract: 本发明涉及改善剥脱衬底的表面质量的方法。在进行受控剥脱工艺之前在基础衬底和支撑结构之间形成顺从材料。通过将顺从材料设置在基础衬底和支撑结构之间，可以减少表面扰动（颗粒、晶片制品等）对剥脱模式断裂的局域效果。因此，本公开的方法导致了剥脱材料层和剩余基础衬底的表面质量的改善。另外，本公开的方法还能减少劈裂制品的密度。
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公开(公告)号：CN104008963A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410054708.5
申请日：2014-02-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/302 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02318 , H01L21/02002 , H01L31/1896 , Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种在受控衬底剥脱期间促进开裂萌生的方法。提供了一种方法，其中，能够以受控方式剥脱包括不同的断裂韧度（KIc）的各种材料的衬底。特别地，在应力源层形成之前，在衬底的表面部分内形成表面台阶区域。在衬底的表面部分内的表面台阶区域的存在，能够控制在所述衬底内出现开裂萌生的深度和容易性。
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公开(公告)号：CN103247687A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310049334.3
申请日：2013-02-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/2258 , H01L21/28575 , H01L29/20 , H01L29/41783 , H01L29/452 , H01L29/66522 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及到III-V材料的自对准接触及其制造方法、FET器件及其制造方法。提供了用于制造III-V FET器件中的自对准接触的技术。在一个方面，用于制造到III-V材料的自对准接触的方法包括以下步骤。将至少一种金属沉积在所述III-V材料的表面上。使所述至少一种金属与所述III-V材料的上部反应，以形成金属–III-V合金层，所述金属–III-V合金层是自对准接触。使用蚀刻来去除所述至少一种金属的任何未反应部分。将至少一种杂质注入到所述金属–III-V合金层中。使被注入到所述金属–III-V合金层中的所述至少一种杂质扩散到所述金属–III-V合金层和其下面的所述III-V材料之间的界面，从而降低所述自对准接触的接触电阻。
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公开(公告)号：CN104733286B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410699689.1
申请日：2014-11-27
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/304 , H01L21/76254 , H01L21/7813
Abstract: 本发明涉及包括嵌入的剥落释放平面的Ⅲ族氮化物的受控剥落。本发明提供包括嵌入的剥落释放平面的Ⅲ族氮化物的受控剥落。形成嵌入在Ⅲ族氮化物材料层内的剥落释放平面。与提供所述Ⅲ族氮化物材料层并且嵌入所述剥落释放平面的所述Ⅲ族氮化物材料部相比，剥落释放平面包括具有不同的应变、不同的结构和不同的组成的材料。剥落释放平面在Ⅲ族氮化物材料层之内提供削弱的材料平面区域，其在随后进行的剥落工艺期间可被用于将Ⅲ族氮化物材料的一部分从初始Ⅲ族氮化物材料层释放。特别地，在剥落工艺期间，在嵌入在初始Ⅲ族氮化物材料层内的剥落释放平面内发生裂缝萌生和传播。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103872176B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201310625437.X
申请日：2013-11-28
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： S·W·比德尔 , B·赫克玛特绍塔巴里 , D·K·萨达那 , G·G·沙希迪 , D·沙赫莉亚迪
IPC: H01L31/18 , H01L31/05 , H01L27/142
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及具有集成光伏电池的器件及其制造方法。一种用于制造具有集成光伏电池的器件的方法，包括：在第一处理衬底上支撑半导体衬底；以及对所述半导体衬底进行掺杂以形成具有相反导电性的交替区域。在所述半导体衬底的第一侧上形成掺杂层。在所述掺杂层上对导电材料进行构图以形成导电岛，使得所述导电岛与所述交替区域对准，从而在单片结构上界定串联连接的多个光伏电池。
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公开(公告)号：CN104218126B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410231720.9
申请日：2014-05-28
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 陈自强 , B·赫克玛特绍塔巴里 , D·K·萨达那 , G·G·沙希迪 , D·沙赫莉亚迪
Abstract: 本发明涉及异质结发光二极管。一种用于形成发光器件的方法包括在单晶衬底上形成Ⅲ-Ⅴ单晶发射层以及在所述发射层上形成第一掺杂层。在所述第一掺杂层上沉积第一接触。通过机械方法从所述发射层去除所述单晶衬底。在所述发射层的去除所述衬底的一侧上形成第二掺杂层。所述第二掺杂层具有与所述第一掺杂层相反的掺杂剂导电性。在所述第二掺杂层上沉积第二接触。
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公开(公告)号：CN103681905B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310439847.5
申请日：2013-09-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 陈自强 , B·海克麦特朔塔巴里 , D·K·萨达那 , D·沙赫莉亚迪
IPC: H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及光伏器件及其形成方法。光伏器件和方法包括晶体衬底以及与所述衬底接触地形成的发射极接触部分。背表面场结包括同质结层，所述同质结层与所述晶体衬底接触地形成且具有与所述衬底的导电类型相同的导电类型和比所述衬底的活性掺杂密度高的活性掺杂密度。所述同质结层包括小于少数载流子在该同质结层中的扩散长度的厚度。与所述衬底相对地且与所述同质结层接触地形成钝化层，该钝化层是未掺杂的或者具有与所述衬底的导电类型相同的导电类型。
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公开(公告)号：CN103985796A
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201410088504.3
申请日：2014-01-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L33/02 , H01L21/683
CPC classification number: H01L33/14 , H01L21/02378 , H01L21/02527 , H01L21/02612 , H01L33/0079 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及电子器件。一种电子器件包括扩展层和形成在所述扩展层上并与之接触的第一接触层。所述第一接触层由导热晶体材料形成，所述导热晶体材料具有高于或等于有源层材料的热导率的热导率。有源层包括一个或多个III族氮化物层。第二接触层形成在所述有源层上，其中所述有源层被垂直设置在第一和第二接触层之间以形成垂直薄膜叠层。
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公开(公告)号：CN103682175A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310435444.3
申请日：2013-09-23
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L27/3244 , G09G3/3208 , H01L2227/323 , H01L2227/326
Abstract: 本发明涉及形成包括具有半导体驱动电路的OLED显示器的结构的方法和半导体结构。采用剥落来产生单晶半导体层。在剥落之前在单晶半导体衬底上形成互补金属氧化物半导体（CMOS）逻辑和存储器件。可以在剥落之前或之后形成有机发光二极管（OLED）驱动电路、太阳能电池单体、传感器、电池等。剥落的单晶半导体层可以被转移到衬底。OLED显示器可以形成在剥落的单晶半导体层中，以实现这样的结构：该结构包括集成在所述单晶半导体层上的具有半导体驱动电路的OLED显示器和其它功能器件。
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