公开(公告)号：CN103718276A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280035916.X

申请日：2012-03-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·海克麦特朔-塔巴里 ,  M·霍普斯塔肯 ,  朴大奎 ,  D·K·萨达那 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L31/03762 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 形成光伏器件的半导体材料的方法包括：提供含氢化非晶硅的材料的表面，和将含氢化非晶硅的材料在含氘气氛中退火。将来自含氘气氛的氘穿过含氢化非晶硅的材料的表面引入含氢化非晶硅的材料的晶格中。在一些实施方案中，引入含氢化非晶硅的材料的晶格中的氘提高含氢化非晶硅的材料的稳定性。

公开(公告)号：CN103380480B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280009465.2

申请日：2012-01-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·海克麦特朔-塔巴里 ,  A·卡基菲鲁兹 ,  A·雷茨尼采克 ,  D·K·萨达那 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/14 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种外延方法包括提供（402）衬底材料的暴露的晶体区域。在低温工艺中将硅外延沉积（404）在所述衬底材料上，其中沉积温度低于500摄氏度。用稀释气体稀释（408）源气体，其中稀释气体与源气体的气体比小于1000。

公开(公告)号：CN103718276B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201280035916.X

申请日：2012-03-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·海克麦特朔-塔巴里 ,  M·霍普斯塔肯 ,  朴大奎 ,  D·K·萨达那 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L31/03762 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 形成光伏器件的半导体材料的方法包括：提供含氢化非晶硅的材料的表面，和将含氢化非晶硅的材料在含氘气氛中退火。将来自含氘气氛的氘穿过含氢化非晶硅的材料的表面引入含氢化非晶硅的材料的晶格中。在一些实施方案中，引入含氢化非晶硅的材料的晶格中的氘提高含氢化非晶硅的材料的稳定性。

公开(公告)号：CN104617167A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410561798.7

申请日：2014-10-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·巴伊拉姆 ,  B·海克麦特朔-塔巴里

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/074

Abstract: 本发明涉及形成光伏器件的方法以及光伏器件。一种光伏器件，包括由具有第一导电性的IV型半导体材料的吸收层和具有第二导电性的III-V型半导体材料的发射极层提供的单结太阳能电池，其中，所述III-V型半导体材料为非晶体并且具有不大于50nm的厚度。

公开(公告)号：CN103380480A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201280009465.2

申请日：2012-01-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·海克麦特朔-塔巴里 ,  A·卡基菲鲁兹 ,  A·雷茨尼采克 ,  D·K·萨达那 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L21/00

CPC classification number: C30B25/04 ,  C30B25/105 ,  C30B25/14 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02584 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/3065

Abstract: 一种外延方法包括提供（402）衬底材料的暴露的晶体区域。在低温工艺中将硅外延沉积（404）在所述衬底材料上，其中沉积温度低于500摄氏度。用稀释气体稀释（408）源气体，其中稀释气体与源气体的气体比小于1000。