-
公开(公告)号：CN103503150B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201180039693.X
申请日：2011-07-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/68 , H01L21/336 , G06F9/45
Abstract: 使用高k电介质金属栅极Vt移位效应来提供可编程场效应晶体管(FET)及其制造方法。控制高k电介质金属栅极结构中的Vt移位的方法包括向高k电介质金属栅极结构的栅极接触施加电流以提高形成栅极堆叠的金属的温度。提高温度超出用于提供接通状态的Vt移位温度阈值。
-
公开(公告)号：CN103890905B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201280051237.1
申请日：2012-09-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/02323 , H01L21/28017 , H01L27/1211 , H01L29/6656 , H01L29/66795
Abstract: 公开了FinFET结构和用于制造FinFET结构的方法。该方法包括对FinFET结构的栅极叠层执行氧退火处理以引起Vt漂移。在侧壁拉低之后以及在硅化之后执行氧退火处理。一种结构，其包含从半导体膜图案化的多个鳍结构。该结构还包含包覆在多个鳍结构周围的栅极叠层。该栅极叠层包含经受横向氧扩散以引起栅极叠层的Vt漂移的高k电介质材料。
-
公开(公告)号：CN103930998A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201280052232.0
申请日：2012-10-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66803
Abstract: 一种结构包括：衬底；在衬底上设置的晶体管，该晶体管包括由用碳注入的硅构成的鳍片；以及栅极介质层和栅极金属层，覆盖鳍片的限定晶体管的沟道的部分。在该结构中，选择在鳍片中的碳浓度以建立晶体管的期望的电压阈值。还公开了制备鳍片FET晶体管的方法。同样公开了具有碳注入的阱的平面晶体管，其中选择在阱中的碳浓度以建立晶体管的期望的电压阈值。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103890905A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280051237.1
申请日：2012-09-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/02323 , H01L21/28017 , H01L27/1211 , H01L29/6656 , H01L29/66795
Abstract: 公开了FinFET结构和用于制造FinFET结构的方法。该方法包括对FinFET结构的栅极叠层执行氧退火处理以引起Vt漂移。在侧壁拉低之后以及在硅化之后执行氧退火处理。一种结构，其包含从半导体膜图案化的多个鳍结构。该结构还包含包覆在多个鳍结构周围的栅极叠层。该栅极叠层包含经受横向氧扩散以引起栅极叠层的Vt漂移的高k电介质材料。
-
公开(公告)号：CN101488453A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910004832.X
申请日：2009-01-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/7833 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L29/4966 , H01L29/4975 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , Y10S257/901
Abstract: 本发明用以制备具有短栅极的MOSFET的结构和方法提供一种生产半导体器件的方法，该方法在一个实施例中包括：提供在衬底上面包括栅极结构的半导体器件，该栅极结构包括双栅极导体，该双栅极导体包括上栅极导体和下栅极导体，其中至少下栅极导体包括含硅材料；相对于下栅极导体有选择性地去除上栅极导体；在至少下栅极导体上沉积金属；以及由金属和下栅极导体产生硅化物。在另一实施例中，本发明方法包括作为下栅极导体的金属。
-
公开(公告)号：CN103930998B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201280052232.0
申请日：2012-10-26
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66803
Abstract: 一种结构包括：衬底；在衬底上设置的晶体管，该晶体管包括由用碳注入的硅构成的鳍片；以及栅极介质层和栅极金属层，覆盖鳍片的限定晶体管的沟道的部分。在该结构中，选择在鳍片中的碳浓度以建立晶体管的期望的电压阈值。还公开了制备鳍片FET晶体管的方法。同样公开了具有碳注入的阱的平面晶体管，其中选择在阱中的碳浓度以建立晶体管的期望的电压阈值。
-
公开(公告)号：CN103503150A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201180039693.X
申请日：2011-07-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/68 , H01L21/336 , G06F9/45
Abstract: 使用高k电介质金属栅极Vt移位效应来提供可编程场效应晶体管(FET)及其制造方法。控制高k电介质金属栅极结构中的Vt移位的方法包括向高k电介质金属栅极结构的栅极接触施加电流以提高形成栅极堆叠的金属的温度。提高温度超出用于提供接通状态的Vt移位温度阈值。
-
公开(公告)号：CN101488453B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910004832.X
申请日：2009-01-19
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/7833 , H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L29/4966 , H01L29/4975 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , Y10S257/901
Abstract: 提供一种生产半导体器件的方法，该方法在一个实施例中包括：提供在衬底上面包括栅极结构的半导体器件，该栅极结构包括双栅极导体，该双栅极导体包括上栅极导体和下栅极导体，其中至少下栅极导体包括含硅材料；相对于下栅极导体有选择性地去除上栅极导体；在至少下栅极导体上沉积金属；以及由金属和下栅极导体产生硅化物。在另一实施例中，本发明方法包括作为下栅极导体的金属。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.022 seconds)
