公开(公告)号：CN1218276A

公开(公告)日：1999-06-02

申请号：CN98123993.5

申请日：1998-11-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李锦良

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/823814

Abstract: 提供了一种采用高能同时注入步骤、低能掺杂剂注入步骤以及快速等温退火步骤的超浅半导体结的制造方法。还提供了诸如含有所述超浅半导体结的FET和CMOS器件之类的微电子器件。

公开(公告)号：CN110718447B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN201910608841.3

申请日：2019-07-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·M·弗兰克 ,  李锦良 ,  E·A·卡蒂埃 ,  V·纳拉亚南 ,  J·弗姆派瑞 ,  S·亚博尔 ,  O·格鲁申克夫 ,  H·贾甘纳坦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L27/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L23/64

Abstract: 本公开的实施例涉及绝缘体‑金属结构中的铪基或锆基氧化物的快速再结晶。一种用于将包括IV型过渡金属的电介质材料转变成结晶材料的方法，该方法包括：在支撑衬底上形成包括IV型过渡金属的主要为非晶的电介质材料，作为具有微尺度或更小的尺度的电气器件的组件；以及通过暴露于能量小于100毫秒并且在一些情况下小于10微秒的持续时间，将包括IV型过渡金属的主要为非晶的电介质材料转变成结晶的晶体结构。得到的材料完全结晶或部分结晶，并且包含亚稳铁电相，诸如空间群Pca21或Pmn21的极性斜方晶相。在转变成结晶的晶体结构期间，电气器件的相邻定位的组件不被损坏。

公开(公告)号：CN110718447A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201910608841.3

申请日：2019-07-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·M·弗兰克 ,  李锦良 ,  E·A·卡蒂埃 ,  V·纳拉亚南 ,  J·弗姆派瑞 ,  S·亚博尔 ,  O·格鲁申克夫 ,  H·贾甘纳坦

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L27/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L23/64

Abstract: 本公开的实施例涉及绝缘体-金属结构中的铪基或锆基氧化物的快速再结晶。一种用于将包括IV型过渡金属的电介质材料转变成结晶材料的方法，该方法包括：在支撑衬底上形成包括IV型过渡金属的主要为非晶的电介质材料，作为具有微尺度或更小的尺度的电气器件的组件；以及通过暴露于能量小于100毫秒并且在一些情况下小于10微秒的持续时间，将包括IV型过渡金属的主要为非晶的电介质材料转变成结晶的晶体结构。得到的材料完全结晶或部分结晶，并且包含亚稳铁电相，诸如空间群Pca21或Pmn21的极性斜方晶相。在转变成结晶的晶体结构期间，电气器件的相邻定位的组件不被损坏。

公开(公告)号：CN100403493C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN98123993.5

申请日：1998-11-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 李锦良

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/823814

Abstract: 提供了一种采用高能同时注入步骤、低能掺杂剂注入步骤以及快速等温退火步骤的超浅半导体结的制造方法。还提供了诸如含有所述超浅半导体结的FET和CMOS器件之类的微电子器件。