公开(公告)号：CN103378082A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310124655.5

申请日：2013-04-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蔡劲 ,  吴燕庆 ,  朱文娟

IPC: H01L27/01 ,  G01L7/08

CPC classification number: H01L29/1606 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0051 ,  H01L27/0802 ,  H01L29/0649

Abstract: 本发明涉及石墨烯压力传感器。一种半导体纳米压力传感器器件具有石墨烯膜，所述石墨烯膜悬置在形成于半导体衬底中的开放腔之上。悬置的石墨烯膜用作活动机电膜以感测压力，其可被制造为非常薄，厚度为约1个原子层到约10个原子层，以改善半导体压力传感器器件的灵敏度和可靠度。

公开(公告)号：CN103378082B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310124655.5

申请日：2013-04-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 蔡劲 ,  吴燕庆 ,  朱文娟

IPC: H01L27/01 ,  G01L7/08

CPC classification number: H01L29/1606 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0051 ,  H01L27/0802 ,  H01L29/0649

Abstract: 本发明涉及石墨烯压力传感器。一种半导体纳米压力传感器器件具有石墨烯膜，所述石墨烯膜悬置在形成于半导体衬底中的开放腔之上。悬置的石墨烯膜用作活动机电膜以感测压力，其可被制造为非常薄，厚度为约1个原子层到约10个原子层，以改善半导体压力传感器器件的灵敏度和可靠度。